[发明专利]有机发光二极管阵列基板及显示装置在审
申请号: | 201410370101.8 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN104167428A | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | 高昕伟;李娜 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 阵列 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管阵列基板,包括多个有机发光二极管,所述有机发光二极管包括依次设置的阳极、发光层、阴极,所述发光层分为多种颜色,并由主体材料和掺杂在主体材料中的客体材料构成,其特征在于,所述有机发光二极管还包括:
设于阳极和发光层间并接触发光层的激子阻挡层,其由一种发光层的主体材料构成,该主体材料在所有发光层的主体材料中具有最大的最高占据分子轨道能级和三线态能级。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其特征在于,
所述激子阻挡层的厚度在1至200纳米之间。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其特征在于,
所述有机发光二极管阵列基板为顶发射型有机发光二极管阵列基板;
与不同颜色发光层接触的激子阻挡层的厚度不同。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其特征在于,
所述发光层分为红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层;
所述激子阻挡层由蓝色发光层的主体材料构成。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管阵列基板,其特征在于,
所述绿色发光层的主体材料与蓝色发光层的主体材料相同。
6.根据权利要求4所述的有机发光二极管阵列基板,其特征在于,
所述蓝色发光层的主体材料为3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-二(9-咔唑)联苯、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、1,3-N,N-二咔唑-苯中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板,其特征在于,
所述蓝色发光层为荧光发光层;
和/或
所述红色发光层和绿色发光层为磷光发光层。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的有机发光二极管阵列基板,其特征在于,所述有机发光二极管还包括:
设于阳极与激子阻挡层之间的空穴传输层;
设于阴极与发光层之间的电子传输层。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管阵列基板,其特征在于,所述有机发光二极管还包括:
设于空穴传输层与阳极之间的空穴注入层;
设于电子传输层与阴极之间的电子注入层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:
权利要求1至9中任意一项所述的有机发光二极管阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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