[发明专利]一种测试电容屏线阻是否短路的方法有效
| 申请号: | 201410369062.X | 申请日: | 2014-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN104122480A | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
| 发明(设计)人: | 姚舜;李伟;于治楼 | 申请(专利权)人: | 浪潮集团有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/02 | 分类号: | G01R31/02 |
| 代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人: | 张靖 |
| 地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 测试 电容 屏线阻 是否 短路 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种测试电容屏线阻是否短路的方法。
背景技术
目前ITO层相邻线阻是否短路大多是通过模拟电路和比较器来检测相邻线阻是否短路,每一路线阻测量必须有一路模拟开关和比较器电路。而本方法则是通过测量线阻阻值的方法来检测相邻线阻之间是否有短路现象。
ITO 是Indium Tin Oxides的缩写,中文意为:氧化铟锡,是一种N型氧化物半导体。ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,是一种在均匀载体上通过特殊工艺生成的透明导电薄膜,主要的性能指标是电阻率和光透过率。
注:金属氧化物半导体场效应管(英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同,可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常被称为N型金氧半场效晶体管(NMOSFET)与P型金氧半场效晶体管(PMOSFET)。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:提供一种测试电容屏线阻是否短路的方法。
本发明所采用的技术方案为:
一种测试电容屏线阻是否短路的方法,所述电阻屏共有N路的线阻,用二选一模拟开关将相邻两路线阻接到二选一通道;
分别为奇数列和偶数列线阻分别供电;当为奇数列线阻供电时,将模拟开关切换到偶数列线阻,并在模拟开关后端设置采样点,测量线阻阻值或采样点电压;
当为偶数列线阻供电时,将模拟开关切换到奇数列线阻,并在模拟开关后端设置采样点,测量线阻阻值或采样点电压;
若线阻阻值或采样点电压不为零则表示该路线阻可能与相邻的两路线阻之间有短路;
若线阻阻值或采样点电压为零则说明相邻的两路线阻之间有没有短路。
所述为奇数列和偶数列线阻分别供电过程中,首先对1、3、5……列线阻供电,然后将模拟开关切换到2、4、6……列线阻,并测量线阻阻值或采样点电压,检测1-2、3-4、5-6……之间线阻之间有没有短路;
然后对2、4、6……列线阻供电,然后将模拟开关切换到3、5、7……列线阻,并测量线阻阻值或采样点电压,检测2-3、4-5、6-7……之间线阻之间有没有短路。
相邻线阻阻值(或采样点电压)都不为零的几条线阻之间说明有短路现象。
在模拟开关后端串联一个采样电阻,起分压作用,避免电路中电流过大烧毁电路。
本发明的有益效果为:采用本发明的技术,通过测量线阻阻值的方法来检测相邻线阻之间是否有短路现象,可以方便快捷的的测试出相邻线阻之间是否短路。
附图说明
图1为本发明ITO线阻短路测试示意图。
具体实施方式
下面通过附图,结合具体实施方式对本发明进一步说明:
实施例1:
一种测试电容屏线阻是否短路的方法,所述电阻屏共有N路的线阻,用二选一模拟开关将相邻两路线阻接到二选一通道;
分别为奇数列和偶数列线阻分别供电;当为奇数列线阻供电时,将模拟开关切换到偶数列线阻,并在模拟开关后端设置采样点,测量线阻阻值或采样点电压;
当为偶数列线阻供电时,将模拟开关切换到奇数列线阻,并在模拟开关后端设置采样点,测量线阻阻值或采样点电压;
若线阻阻值或采样点电压不为零则表示该路线阻可能与相邻的两路线阻之间有短路;
若线阻阻值或采样点电压为零则说明相邻的两路线阻之间有没有短路。
实施例2:
在实施例1的基础上,所述为奇数列和偶数列线阻分别供电过程中,首先对1、3、5……列线阻供电,然后将模拟开关切换到2、4、6……列线阻,并测量线阻阻值或采样点电压,检测1-2、3-4、5-6……之间线阻之间有没有短路;
然后对2、4、6……列线阻供电,然后将模拟开关切换到3、5、7……列线阻,并测量线阻阻值或采样点电压,检测2-3、4-5、6-7……之间线阻之间有没有短路。
相邻线阻阻值(或采样点电压)都不为零的几条线阻之间说明有短路现象。
实施例3:
如图1所示,一种测试电容屏线阻是否短路的方法,所述电阻屏共有4路ITO线阻R1、R2、R3、R4,用二选一模拟开关将相邻两路线阻接到二选一通道;
通过SIGN1控制场效应管(MOSFET-P)Q1对奇数列线阻R1、R3通电;
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