[发明专利]X波段准光腔材料的测定方法及其介电常数测量方法

权利要求书

1.X波段准光腔材料的测定方法，其特征在于，该测定方法包括如下步骤：

1)根据准光腔腔体材质或镀层材质确定趋肤深度；

2)根据准光腔品质因数和趋肤深度Q确定腔长D取值范围；

3)根据准光腔曲率因子和本征谱线纯度确定球面镜曲率半径R取值范围；

4)确定准光腔球面镜口径A1为350mm；

5)确定准光腔平面镜直径A2为250mm；

6)确定准光腔的信号耦合性，所述准光腔的球面镜顶端与耦合波导的底端固定连接使得所述球面镜中心位置的球顶位于所述耦合波导上且与所述耦合波导成为一体，所述耦合波导的两个耦合孔中间切割出0.5mm的缝隙，该缝隙与输入和输出两个波导口间的波导壁焊接。

2.根据权利要求1所述的X波段准光腔材料的测定方法，其特征在于，

所述腔体材质采用黄铜时，在8.2GHz～12.4GHz频率范围，趋肤深度δ＝(1.14～1.4)um；

所述品质因数Q大于8万时，由式(1)得到D大于224.4mm，选取D＝250mm；D＞2δQ(1)

所述球面镜曲率半径R∈[320mm,333mm]。

3.利用基于如权利要求1所述的X波段准光腔材料的测定方法得到的X波段准光腔对材料进行测量介电常数的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

1)在X波段准光腔工作频段内等间隔选择多个测试频点；

2)对所述多个测试频点下，被测样品进行介电常数测量，得到各个介电常数结果；

3)将所述各个介电常数结果进行描点，得到介电常数的起伏曲线；

4)取所述起伏曲线的中心值，该中心值即为被测样品最终介电常数结果。