[发明专利]珐琅物品及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410366756.8 申请日: 2014-07-29
公开(公告)号: CN104339763A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 长谷川绫子;早川纯司;间宫贵稔;二宫贡治;佐藤基和;牛岛康孝 申请(专利权)人: TOTO株式会社
主分类号: B32B15/04 分类号: B32B15/04;B32B17/00;C23D5/02;C23D11/00
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 周善来;阎文君
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 珐琅 物品 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及使用铸铁作为基材并在该铸铁上形成有瓷釉层的珐琅物品。

背景技术

在金属材料表面形成有瓷釉层的珐琅物品作为浴槽、洗脸盆、洗手盆、水槽等的用水处产品在市场上广泛流通。另外,在有高档意向的顾客层中存在金属的坚固性与玻璃的高档感并存的用水处产品的需求,优选大型的用水处产品(例如,浴槽)。作为珐琅物品的基材广泛熟知的有钢板及铸件,另外,作为对基材施加瓷釉的方法,已知有干式法及湿式法。进而,有时通过加热会产生起因于基材所包含的成分的气泡,为了不给珐琅物品的外观等带来不良影响需要控制该气泡。对该气泡的考虑,在铸铁中变得特别必要。为了使由铸铁产生的气泡不从瓷釉层表面释放,以往进行了通过干式法形成具有厚度的瓷釉层并封闭气泡的尝试。

在日本特开昭51-49866号公报(专利文献1)中记载有如下的技术课题,即通过湿式法在浴槽等的大型铸件物品上形成薄的瓷釉层时,会形成针孔而得不到良好的外观,为了解决上述技术课题记载有如下铸铁浴槽,即在通过湿式法形成的下釉层面上,通过干式法形成上釉层并形成将该下釉层及上釉层一体化的珐琅层。

另外,在日本特开昭54-83018号公报(专利文献2)中记载有由下述工序构成的铸铁珐琅产品的花色图案施与方法,即在铸铁坯料上形成珐琅层的工序、在该珐琅层上形成花色图案的工序。作为该方法的珐琅层形成工序,记载有下述的干式法,即将铸铁在加热炉中加热至高温后,立即通过电动振动器在其表面撒上下瓷釉粉末。另外,在该文献中例示了铸铁珐琅产品的各种厚的珐琅产品(珐琅层0.6~2.0mm),记载了基材为铸铁的情况下珐琅层厚。

在上述专利文献中并没有记载如下珐琅物品,即尽管基材为铸铁,瓷釉层薄也不形成针孔的外观良好等表面光滑且设计性优异的珐琅物品。

另一方面,在日本特开平1-219040号公报(专利文献3)中记载了抑制成为在珐琅层中产生气泡的原因的碳酸气与氢气的作用。在该文献中记载了为了抑制碳酸气的产生,减少基材中所包含的碳,为了抑制氢气的产生,在基材表面施加金属镀层。

另外,在日本特开平3-150371号公报(专利文献4)中记载了作为基材使用铁时,铁所包含的碳与瓷釉中的水反应产生氢气、碳酸气,其在瓷釉层中、表面作为气泡生成。其次,由于该气泡作为裂纹或针孔残留从而损坏表面的平滑。在该专利文献中,通过将铁预热至瓷釉的软化开始温度以上并在其上喷镀瓷釉可抑制气泡的影响。

现有技术文献

专利文献

专利文献1 日本特开昭51-49866号公报

专利文献2 日本特开昭54-83018号公报

专利文献3 日本特开平1-219040号公报

专利文献4 日本特开平3-150371号公报

发明内容

作为基材使用铸铁时,由于铸铁中包含大量的碳,所以由铸铁产生的气泡的量多。据此,为了抑制由气泡引起的对瓷釉层的不良影响,需要成为1.0~2.0mm左右的瓷釉层的厚度。另一方面,作为基材使用钢板时,由于碳的含量少故而很难受到气泡的影响,但是由于钢板的厚度薄,作为珐琅物品缺乏重厚感,所以不优选作为用水处产品。

在作为基材使用了铸铁的情况下,当通过干式法施加瓷釉时,由于瓷釉层的厚度成为1.2~2.0mm,所以受到设计方面的制约。另一方面,当通过湿式法施加瓷釉时,可能会形成薄的瓷釉层,存在气泡对瓷釉层表面的外观带来影响这样的问题。

此次本发明者得到了如下见解:即使在作为基材使用铸铁,并在该铸铁上形成了薄的瓷釉层的情况下,通过控制从基材产生的气泡在瓷釉层中的分布状态,可抑制珐琅物品的瓷釉层表面中的气泡的影响。本发明基于此种见解。

因此,本发明将提供即使瓷釉层的厚度薄,其表面也具有光滑的良好外观的珐琅物品作为其目的。

其次,根据本发明的珐琅物品为在基材上形成有瓷釉层的珐琅物品,所述基材为铸铁,所述瓷釉层的厚度为0.1mm以上1.0mm以下,所述瓷釉层表面通过微波扫描测定装置所测定的Wd值为0<Wd≤60。

根据本发明的一个方式,根据本发明的珐琅物品从所述基材表面向瓷釉层表面方向上的0.05mm为止的区域中的烧成后的组成为SiO2>55重量%。

根据本发明的一个方式,根据本发明的珐琅物品从所述基材表面向瓷釉层表面方向上的0.05mm为止的区域中所包含的未溶解状态SiO2的面积比例相对于该区域的总面积为15%以上70%以下。

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