[发明专利]硅片背面清洗装置在审
| 申请号： | 201410366363.7 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105304522A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 吴均;王家毅;金一诺;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 背面 清洗 装置 | ||
1.一种硅片背面清洗装置，其特征在于，包括：
圆环形喷头支架，位于放置了硅片的基板承载盘的外围；
多个清洗喷头，对硅片背面进行清洗，分布于圆环形喷头支架的上方和下方，分为两组，其中一组安装在圆环形喷头支架的外圈，另一组安装在圆环形喷头支架的内圈；
多个气体喷头，对清洗后的硅片背面进行干燥处理，分为两组，其中一组安装在圆环形喷头支架的外圈，另一组安装在圆环形喷头支架的内圈。
2.根据权利要求1所述的硅片背面清洗装置，其特征在于，硅片背面清洗装置还包括：
溅射护罩，防止硅片在清洗过程中洗涤液的飞溅。
3.根据权利要求2所述的硅片背面清洗装置，其特征在于，溅射护罩可视硅片是否需要抓取或进行工艺处理而升降。
4.根据权利要求1所述的硅片背面清洗装置，其特征在于，气体喷头是氮气喷头，对硅片背面边缘吹氮气。
5.根据权利要求1所述的硅片背面清洗装置，其特征在于，气体喷头的喷射角度可调。
6.根据权利要求1所述的硅片背面清洗装置，其特征在于，同一侧的上下两个清洗喷头分别配备去离子水和化学药液。
7.根据权利要求1所述的硅片背面清洗装置，其特征在于，清洗喷头的喷射角度可调。
8.根据权利要求1所述的硅片背面清洗装置，其特征在于，位于圆环形喷头支架外圈的清洗喷头的清洗对象和气体喷头的干燥对象是12寸的晶圆硅片，位于圆环形喷头支架内圈的清洗喷头的清洗对象和气体喷头的干燥对象是8寸的晶圆硅片。
9.根据权利要求1所述的硅片背面清洗装置，其特征在于，装置还包括：
集液槽，收集废液统一排出。
10.根据权利要求1所述的硅片背面清洗装置，其特征在于，硅片背面清洗装置安装在硅片清洗设备腔体中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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