[发明专利]包括机械加强盖并且具有吸气效应的封装结构

权利要求书

1.一种用于封装至少一个微型装置(104)的结构(100)，所述至少一个微型装置(104)被制造在基底(102)上和/或基底(102)中并且被定位在至少一个在所述基底(102)和刚性地附接到所述基底(102)上的盖(106)之间形成的腔(110)中，其中，所述盖(106)至少包括：

一层第一材料层(112)，所述第一材料层(112)的一个表面(114)形成所述腔(110)的内壁，以及

刚性地连接到所述第一材料层(112)的至少所述表面(114)上的机械加强部分(116)，所述机械加强部分(116)部分地覆盖所述第一材料层(112)的所述表面(114)并且具有气体吸收和/或吸附性能，其中，这些机械加强部分(116)包括至少一种第二材料，所述第二材料的杨氏模量高于所述第一材料的杨氏模量。

2.根据权利要求1所述的封装结构(100)，其中，所述第二材料为金属吸气材料。

3.根据前述权利要求中任一项所述的封装结构(100)，其中，每个所述机械加强部分(116)包括至少一个所述第二材料的第一层(118)和至少一个第三金属吸气材料的第二层(120)，使得所述第二材料的第一层(118)被定位在所述第一材料的层(112)和所述第三材料的第二层(120)之间和/或被所述第三材料的第二层(120)覆盖。

4.根据前述权利要求中任一项所述的封装结构(100)，其中，每个所述机械加强部分(116)包括堆叠的层(118，120)，所述堆叠的层(118，120)的至少两层形成了在所述盖(106)上施加指向所述腔(110)外部的力的双金属条。

5.根据前述权利要求中任一项所述的封装结构(100)，其中，所述材料由硅和/或二氧化硅和/或氮化硅制成，并且所述第二材料由铬(Cr)和/或钛(Ti)和/或钴(Co)和/或铁(Fe)和/或锰(Mn)和/或钼(Mo)和/或钽(Ta)和/或钒(V)和/或钨(W)和/或钯(Pd)和/或铑(Rh)和/或铂(Pt)和/或钌(Ru)和/或锆(Zr)制成。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的封装结构(100)，其中，所述金属吸气材料由铬(Cr)和/或钛(Ti)和/或钴(Co)和/或铁(Fe)和/或锰(Mn)和/或钼(Mo)和/或钽(Ta)和/或钒(V)和/或钨(W)和/或钯(Pd)和/或铑(Rh)和/或铂(Pt)和/或钌(Ru)和/或锆(Zr)制成。

7.根据前述权利要求中任一项所述的封装结构(100)，其中，每个所述机械加强部分(116)具有大致直角的平行六面体形状，并且其中，所述机械加强部分(116)被定位成大致相互平行。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的封装结构(100)，其中，所述机械加强部分(116)在所述第一材料的层(112)的所述表面(114)上形成了网格。

9.根据前述权利要求中任一项所述的封装结构(100)，其中，比率r＝h/H介于大约0.6和0.9之间，并且比率R＝b/t大于或等于大约0.7，其中：

h：所述第一材料的层(112)的厚度；

H：h和一个所述机械加强部分(116)的厚度之和；

b：一个所述机械加强部分(116)的宽度；

t：在所述第一材料的层(112)上定位所述机械加强部分(116)的周期性间距。

10.根据前述权利要求中任一项所述的封装结构(100)，还包括始终经过所述基底(102)和/或所述第一材料的层(112)并且靠近所述腔(110)制造的导电通路(126)。

11.一种微型电子装置(1000)，所述微型电子装置(1000)包括至少两个彼此上下定位的根据权利要求10所述的封装结构(100.1，100.2)，其中，所述两个封装结构中的第一封装结构(100.1)的至少一个导电通路(126)直接地或通过插入器(1010)被电连接到所述两个封装结构中的第二封装结构(100.2)的至少一个导电通路(126)上。