[发明专利]发光二极管光源及其制造方法、具有其的背光源在审

专利信息
申请号: 201410364763.4 申请日: 2010-09-27
公开(公告)号: CN104154463A 公开(公告)日: 2014-11-19
发明(设计)人: 孙海威;刘佳;蔡斯特 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: F21S8/00 分类号: F21S8/00;F21V19/00;F21V5/02;G02F1/13357;F21Y101/02
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 光源 及其 制造 方法 具有 背光源
【权利要求书】:

1.一种发光二极管光源,包括出光杯、荧光颗粒和设置在所述出光杯中的发光二极管发光芯片,其特征在于,所述发光二极管光源还包括:

光均匀结构,位于高于所述发光二极管发光芯片的位置处;

所述光均匀结构包括:

两个分别位于所述发光二极管发光芯片上方沿所述发光二极管光源长度方向的两侧部的光均匀面;所述光均匀面从中部向沿所述发光二极管光源长度方向的侧部倾斜向下地延伸。

2.根据权利要求1所述的发光二极管光源,其特征在于,还包括位于所述发光二极管发光芯片上方并封装发光二极管发光芯片的封装件,所述光均匀结构位于所述封装件的上表面上,所述荧光颗粒位于所述封装件中。

3.根据权利要求1所述的发光二极管光源,其特征在于,还包括位于所述发光二极管发光芯片上方并封装发光二极管发光芯片的封装件,所述封装件上覆盖有光均匀片,所述光均匀结构位于所述光均匀片上的表面上,所述荧光颗粒位于所述封装件中。

4.根据权利要求2或3所述的发光二极管光源,其特征在于,所述光均匀结构的最靠近所述发光二极管发光芯片的位置与所述发光二极管发光芯片间的连线与竖直方向的夹角在30度至35度之间。

5.根据权利要求2或3所述的发光二极管光源,其特征在于,所述封装件中含有环氧树脂。

6.根据权利要求3所述的发光二极管光源,其特征在于,所述光均匀片由聚乙烯构成。

7.一种背光源,包括光源,其特征在于,所述光源包括至少一个如权利要求1至6中任意一项所述的发光二极管光源。

8.一种制造发光二极管光源的方法,其特征在于,包括:

固定发光二极管发光芯片;

用封装材料封装所述发光二极管发光芯片;

在高于所述发光二极管发光芯片的位置处形成光均匀结构;

所述光均匀结构包括:

两个分别位于所述发光二极管发光芯片上方沿所述发光二极管光源长度方向的两侧部的光均匀面;所述光均匀面从中部向沿所述发光二极管光源长度方向的侧部倾斜向下地延伸。

9.根据权利要求8所述的制造发光二极管光源的方法,其特征在于,所述在高于所述发光二极管发光芯片的位置处形成光均匀结构包括:

在所述封装材料固化前,将光均匀片放在所述封装材料上,所述光均匀片上具有如权利要求1至4中任意一项所述的发光二极管光源的光均匀结构;

使所述封装材料固化,从而将所述光均匀片粘结在所述封装材料上。

10.根据权利要求8所述的制造发光二极管光源的方法,其特征在于,所述在高于所述发光二极管发光芯片的位置处形成光均匀结构包括:

在所述封装材料的上表面形成如权利要求1-2或权利要求4中任意一项所述的发光二极管光源的光均匀结构。

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