[发明专利]有机发光二极管显示器有效
| 申请号: | 201410363176.3 | 申请日: | 2014-07-28 |
| 公开(公告)号: | CN104617124B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
| 发明(设计)人: | 金学善;金敏佑;金起范;朴源祥 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;刘铮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管(OLED)显示器,包括多个像素,其中所述多个像素中的一个像素包括:
发光部,包括被配置为生成光的发光层,以及面向彼此的像素电极和相对电极,所述发光层在第一方向上位于所述像素电极与所述相对电极之间;
光输出部,在与所述第一方向交叉的第二方向上位于所述发光部的一侧,并且被配置为允许光由所述光输出部向外部输出;以及
反射部,位于所述发光部的与所述光输出部相反的另一侧且面向所述光输出部,并且所述发光部位于所述反射部与所述光输出部之间,
其中在平面图中,所述反射部不与所述发光部和所述光输出部重叠。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述反射部、所述像素电极和所述相对电极中的至少一个被配置为朝向所述发光层反射光。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中所述反射部、所述像素电极和所述相对电极中的至少一个包括反射导电材料。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中所述像素还包括直接位于所述反射部上或下的绝缘层。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中所述绝缘层具有小于或等于1.4的折射率。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中所述反射部位于与所述像素电极相同的层并且包括与所述像素电极相同的材料,所述反射部的厚度大于所述像素电极的厚度。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中所述反射部的顶面与所述像素电极的顶面之间的台阶差为0.1μm至1μm。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中所述绝缘层位于所述反射部与所述相对电极之间。
9.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中所述反射部位于与所述像素电极所在的层不同的层,并且所述绝缘层位于所述像素电极与所述反射部之间。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器,其中所述反射部的厚度为0.1μm至1μm。
11.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器,其中所述反射部与所述相对电极接触。
12.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中所述光输出部和所述反射部包围所述发光部。
13.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器,其中所述像素具有沿对应像素的外围延伸的多个边缘侧,以及
所述光输出部对应于所述边缘侧中的至少一个,并且所述反射部对应于剩余的边缘侧。
14.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中所述相对电极的一部分位于所述光输出部中,以及
所述相对电极位于所述光输出部中的部分包括相对于所述相对电极的另一部分在所述发光部中延伸的方向倾斜的倾斜部。
15.如权利要求14所述的有机发光二极管显示器,其中所述像素还包括位于所述像素电极与所述相对电极之间的像素限定层,以及
所述像素限定层包括面向所述倾斜部的侧壁并且具有对应于所述像素电极的开口。
16.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中所述多个像素中的每个分别包括所述发光部、所述光输出部和所述反射部,以及
所述光输出部位于每个对应像素的相同侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





