[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，所述外延层位于所述衬底上；

透明电极层，所述透明电极层位于所述外延层上；

至少两个槽，所述槽沿纵向穿过所述透明电极层且底部位于所述外延层中，所述槽分布在所述透明电极层的边缘处；

绝缘层，所述绝缘层衬在所述槽的侧壁上以及所述槽口边缘的透明电极层上；

N型电极，所述N型电极位于所述绝缘层上；以及

P型电极，所述P型电极位于所述透明电极层上，其中，所述P型电极到所述N型电极的距离均相等。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延层包括N型GaN层、InGaN或者GaN多量子阱有源层和P型GaN层，其中，所述N型GaN层位于所述衬底上，所述InGaN或者GaN多量子阱有源层位于所述N型GaN层上，所述P型GaN层位于所述InGaN或者GaN多量子阱有源层上。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述槽的底部位于所述N型GaN层中；

所述N型电极与所述N型GaN层直接接触。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述槽的横截面为圆形、长方形、正方形中的一种；

所述槽的个数为4个、5个、6个、7个或者8个。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明电极层的材料为ITO、ZnO或者Ni和Au合金；

所述绝缘层的材料为SiO₂、Si₃N₄、SiON中的一种；

所述N型电极和所述P型电极的材料均为Ti、Cr、Pt、Au、Ni、Al、Be、Ge中的一种。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述槽沿所述透明电极层的边缘均匀分布。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片通过倒装共晶焊焊接在电路板上，其中，所述电路板包括基板以及位于所述基板上的正极和负极，且所述正极与所述负极隔开；

所述P型电极位于所述正极上，所述N型电极位于所述负极上。

8.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成外延层；

在所述外延层上形成透明电极层；

形成沿纵向穿过所述透明电极层且底部位于所述外延层中的至少两个槽，其中，所述槽分布在所述透明电极层的边缘处；

在所述槽的侧壁上以及所述槽口边缘的透明电极层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成N型电极；以及

在所述透明电极层上形成P型电极，其中，所述P型电极到所述N型电极的距离均相等。

9.根据权利要求8所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在衬底上形成外延层，包括：在衬底上依次形成N型GaN层、InGaN或者GaN多量子阱有源层和P型GaN层。

10.根据权利要求9所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述槽的底部形成在所述N型GaN层中；

所述N型电极与所述N型GaN层直接接触。