[发明专利]一种透明导电电极及其制备方法、OLED显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种透明导电电极及其制备方法、OLED显示器件。

背景技术

铟锡氧化物(Indium Tin Oxides，简称ITO)具有导电性和透明性，因此是透明导电电极最常用的薄膜材料。以有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器件为例，传统的OLED显示器件采用ITO电极和金属电极(如：银、镁、铝等)分别作为器件的阳极和阴极，阳极和阴极之间为有机材料功能层，器件的发光可从透明的ITO一侧观察到，金属阴极起到了反射层的作用。

然而，ITO虽然具有比较好的透光率(>90％)，但其应用也存在诸多限制，例如：a)导电性比较差；b)制备ITO所需要的铟属于稀有金属，在地壳中的分布量比较小，又很分散；c)ITO延展性比较差，不适用于柔性基板。与之相反的是，金属电极虽然具有较好的导电性、延展性以及较为丰富的来源，但是金属的透光性较差。目前，比较常见的是用Ag(银)电极代替透明ITO导电电极，因为Ag的透光率在金属中是比较高的，但是为了获得较高的透光率，必须将Ag电极制备的非常薄，而Ag电极越薄，其导电性越差。

因此，如何发展同时具有高导电性、透光率及延展性的透明导电电极，是目前亟需研究的重点之一。

发明内容

本发明的实施例提供一种透明导电电极及其制备方法、OLED显示器件，可解决现有技术中透明导电电极不能同时综合导电性、透光率及延展性的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种透明导电电极的制备方法，该方法包括：

将掺杂有聚合物溶液的混合溶液通过溶液法，在基板上制备形成掺杂聚合物的三氧化钨电介质层；其中，所述混合溶液的表面张力为10-50mN/m；在所述三氧化钨电介质层上制备形成Ag电极层。

优选的，所述将掺杂有聚合物溶液的混合溶液通过溶液法，在基板上制备形成掺杂聚合物的三氧化钨电介质层，包括：

在钨酸溶液中掺入所述聚合物溶液，形成所述混合溶液；采用旋涂方式将所述混合溶液涂覆到所述基板上，并进行烘烤，得到掺杂所述聚合物的所述三氧化钨电介质层。

优选的，所述聚合物在所述三氧化钨电介质层中的掺杂比例为1-5wt％。

基于上述，优选的，所述聚合物为改性聚硅氧烷、碳氟改性聚合物、小分子碳氟化合物、聚合碳氟化合物和丙烯酸酯共聚物中的至少一种。

进一步优选的，所述三氧化钨电介质层的厚度为20nm，所述Ag电极层的厚度为10nm；

所述聚合物为羟基官能硅酮改性的聚丙烯酸酯，所述羟基官能硅酮改性的聚丙烯酸酯在所述三氧化钨电介质层中的掺杂比例为3wt％；或者，

所述三氧化钨电介质层的厚度为20nm，所述Ag电极层的厚度为7nm；

所述聚合物为碳氟改性聚合物，所述碳氟改性聚合物在所述三氧化钨电介质层中的掺杂比例为3wt％。

另一方面，提供一种透明导电电极，该透明导电电极包括三氧化钨电介质层和Ag电极层；其中，所述三氧化钨电介质层中掺杂有聚合物。

优选的，所述聚合物在所述三氧化钨电介质层中的掺杂比例为1-5wt％。

基于上述，优选的，所述聚合物为改性聚硅氧烷、碳氟改性聚合物、小分子碳氟化合物、聚合碳氟化合物和丙烯酸酯共聚物中的至少一种。

进一步的，所述三氧化钨电介质层的厚度为20nm，所述Ag电极层的厚度为10nm；

所述聚合物为羟基官能硅酮改性的聚丙烯酸酯，所述羟基官能硅酮改性的聚丙烯酸酯在所述三氧化钨电介质层中的掺杂比例为3wt％；或者，

所述三氧化钨电介质层的厚度为20nm，所述Ag电极层的厚度为7nm；

所述聚合物为碳氟改性聚合物，所述碳氟改性聚合物在所述三氧化钨电介质层中的掺杂比例为3wt％。

再一方面，提供一种OLED显示器件，包括多个子像素，每个所述子像素包括依次设置在衬底基板上方的第一电极、有机材料功能层和第二电极，其中，所述第一电极为上述任一项所述的透明导电电极。

可选的，所述第二电极为不透明金属电极、或透明金属电极、或ITO电极。

可选的，所述OLED显示器件还包括设置于所述衬底基板和所述第一电极之间的薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极电连接。

基于上述，可选的，所述衬底基板为柔性衬底基板。