[发明专利]一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块有效
| 申请号： | 201410359745.7 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104157634B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王康平;杨旭;曾翔君;马焕;余小玲;郭义宣 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/488;H01L25/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 分裂 电容 中间 布局 寄生 电感 gan 功率 集成 模块 | ||
1.一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征在于；包括上桥臂器件(1)、下桥臂器件(2)和多个母线电容(3)，上桥臂器件(1)、下桥臂器件(2)和多个母线电容(3)位于基板(7)的一侧表面上，上桥臂器件(1)和下桥臂器件(2)平行并排放置，多个母线电容(3)安放在上桥臂器件(1)与下桥臂器件(2)中间；每个母线电容(3)的一个电极与上桥臂器件(1)的一个漏极对应相连，上桥臂器件(1)的所有漏极相互连接，每个母线电容(3)的另一个电极与下桥臂器件(2)的一个源极对应相连，下桥臂器件(2)的所有源极相互连接；上桥臂器件(1)的所有源极与下桥臂器件(2)的所有漏极一一对应相连；
上桥臂器件(1)和下桥臂器件(2)均为LGA封装的GaN器件，基板(7)内设置有一层屏蔽层(6)。
2.根据权利要求1所述一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征在于：所述母线电容(3)为贴片0201封装。
3.根据权利要求1所述一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征在于：所述屏蔽层(6)是一个导电平面。
4.根据权利要求1所述一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征在于：所述基板(7)为PCB板或LTCC板或氧化铝基板或氮化铝基板。
5.根据权利要求1所述一种分裂电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征在于：所述基板(7)的另一侧表面上设置有间隔排列的母线电压正极焊盘(12)、桥臂中点焊盘(13)以及母线电压负极焊盘(14)，母线电压正极焊盘(12)通过基板(7)上的过孔与上桥臂器件(1)的漏极相连，母线电压负极焊盘(14)通过基板(7)上的过孔与下桥臂器件(2)的源极相连，桥臂中点焊盘(13)通过基板(7)上的过孔与桥臂中点相连。
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