[发明专利]一种正装倒置芯片的制备方法

权利要求书

1.一种正装倒置芯片的制备方法，其特征在于：按照如下步骤制备： 步骤1，选取外延片，在外延片表面涂布光刻胶； 步骤2，对外延片进行光罩破光； 步骤3，去除外延片表面电极点的光刻胶； 步骤4；在外延片表面电极点处印刷锡膏并将锡膏熔化成锡球； 步骤5，将若干个锡球表面磨平，使若干个锡球的高度相同； 步骤6，将外延片表面剩余的光刻胶全部去除； 步骤7，将外延片减薄； 步骤8，将外延片切割并裂片，形成若干块芯片。

2.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法，其特征在于：所述的将锡膏熔化成锡球的方法为用高于锡熔点的温度加热锡膏并回流成锡球。

3.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法，其特征在于：所述的外延片为蓝宝石外延片。

4.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法，其特征在于：所述的光刻胶采用匀胶机涂布在外延片表面，所述的光刻胶的厚度为10微米以上。

5.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法，其特征在于：所述的光罩破光采用光刻机在外延片表面形成图案。

6.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法，其特征在于：所述的锡球表面磨平采用研磨机。

7.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法，其特征在于：所述的外延片减薄采用研磨机。

8.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法，其特征在于：所述的外延片减薄至100um。

9.根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法，其特征在于：所述的外延片切割采用激光切割。