[发明专利]近场用电波吸收片

说明书

技术领域

本发明涉及为了抑制电子设备或者通信设备中的多余的辐射电波而被使用的近场用电波吸收片。

背景技术

近年来，随着电子设备和通信设备的小型化、轻量化，被安装于电子电路上的部件的安装密度也在提高。因此，起因于从电子部件辐射的电波，在电子部件彼此之间或者电子电路彼此之间产生电波干涉，由此引起的电子设备等的误动作成为问题。

为了防止该问题，将多余的辐射电波转换为热的近场用的电波吸收片已经被安装于电子设备等中。该电波吸收片的厚度为0.1mm～2mm，因而能够插入至电子部件或者电子电路附近，加工容易且形状自由度也高。因此，电波吸收片能够适应于电子设备等的小型化、轻量化，作为电子设备等的防抗噪声部件，正在被广泛地应用。

典型的电波吸收片是由被加工成扁平状的软磁性金属粉末和树脂组成，利用软磁性金属粉末的磁损将电波转换为热的构造。所以，电波吸收片的电波吸收性能依赖于软磁性金属粉末的磁导率。一般而言，磁导率使用实部磁导率μ’和虚数部磁导率μ”而由复数磁导率μ＝μ’-j·μ”来表示，但在如电波吸收片这样的利用磁损的情况下，虚数部磁导率μ”变为重要。即，在遍及于想要吸收的电波噪声的频带上，分布虚数部磁导率μ”是重要的。以下，在本说明书中，将虚数部磁导率μ”相对于频率的分布称为“μ”分散”。

在专利文献1中，记载有由由FeCoMo合金、FeCoNb合金、或者FeCoV合金的3元素系的合金组成的粉末和树脂构成的电波吸收片。此外，在专利文献2中，作为使用了2元素系的合金的示例，记载有由Fe－50Ni合金和树脂构成的电波吸收片。

近年来，电子设备等的高性能化正在快速地推进，所使用的频率具有越来越高的倾向。例如，在个人电脑中，要求进一步的高速化，CPU的驱动频率就要达到GHz带。在无线LAN等通信设备中，处理的数字内容的容量增大，通信频率也以GHz带为中心。而且，数值电视广播、道路交通信息系统等卫星通信也快速扩大，泛在网络时代正在实现。一方面进行这种信息通信设备等的多功能化和融合，而另一方面，从电子设备、通信设备等辐射的多余的电波的频率也变高，由该辐射电波所引起的功能干涉和误动作也比以前增加而让人担心。因此，一直希望开发能够有效地吸收GHz波段的电波的电波吸收片。

然而，在现状中，μ”分散从GHz波段上升的电波吸收片尚未得到。在专利文献1以及2记载的技术中，μ”分散也是在MHz波段上上升，临近于GHz波段的程度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开平10-106814号公报

专利文献2：特开2002-134309号公报

发明内容

发明要解决的课题

因此，本发明鉴于上述课题，其目的在于，提供虚数部磁导率μ”的分布从GHz波段上升的近场用电波吸收片。

解决课题的手段

为了达到上述目的，本发明人专心研究，得到了以下的见解。作为用于电波吸收片的软磁性金属粉末，饱和磁化高的软磁性金属粉末具有μ”分散的上升沿也向高频侧移动的趋势。因此，本发明人研究了把作为单体金属显示最高的饱和磁化的Fe用作软磁性金属粉末的情况。但是，如果再进行研究，则就会发现：如果以比现有少的比例(具体而言，40％以下)用饱和磁化比Fe低的Co和/或Ni取代Fe的一部分，则μ”分散的上升沿前所未有地向高频侧移动。

即，本发明的近场用电波吸收片的特征在于：含有扁平状的FeCo合金粉末和树脂，所述FeCo合金粉末的组成是在Fe_100－xCo_x中为0.1≤x≤40。

本发明的又一近场用电波吸收片的特征在于：含有扁平状的FeNi合金粉末和树脂，所述FeNi合金粉末的组成是在Fe_100－yNi_y中为0.1≤y≤40。

本发明的再一近场用电波吸收片的特征在于：含有扁平状的FeCoNi合金粉末和树脂，所述FeCoNi合金粉末的组成是在Fe_100－z(CoNi)_z中为0.1≤z≤40。

本发明的再一近场用电波吸收片的特征在于：含有将所述FeCo合金粉末、所述FeNi合金粉末、所述FeCoNi合金粉末以及扁平状的Fe粉末中的至少2种以上混合而得的混合粉末和树脂。

发明效果

在本发明的近场用电波吸收片中，虚数部磁导率μ”的分布从GHz波段上升。

具体实施方式