[发明专利]一种木薯试管薯的诱导方法

说明书

技术领域

本发明涉及农业繁殖方法领域，具体为木薯的繁殖方法领域，尤其涉及一种木薯试管薯的诱导方法。

背景技术

木薯(Manihot esculenta Crantz)又名树薯，树番薯，木番薯，是大戟科(Euphorbiaceae)木薯属(Manihot)植物，是三大薯类作物之一，全球第六大粮食作物，热区第三大粮食作物，可食用、饲用和工业用，在我国具有巨大的市场开发空间。

木薯是收获地下块根为主，木薯块根发生发育及淀粉积累规律研究具有重要意义，在组培条件下诱导试管薯有助于探索木薯块根发生发育及淀粉积累规律。国内外虽然也有对木薯试管薯诱导进行探索的，如，Medina等(2007)研究结果表明，MS基本培养基添加0.1mg/L NAA、0.1mg/L BA及50g/L蔗糖的半固体培养基(pH＝5.8)可有效诱导木薯试管薯；Fan等(2011)研究结果表明，MS基本培养基添加0.5mg/L NAA、0.5mg/L BA及60g/L蔗糖的半固体培养基(pH＝5.8)可有效诱导木薯试管薯。但是本课题组通过对比试验证明，上述配方诱导木薯试管薯的效率不高，试管薯诱导时间亦较长。因此，完全有必要对木薯试管薯高效诱导技术方法进行深入研究。

发明内容

本发明的目的在于：针对上述存在的问题，提供一种木薯试管薯的诱导方法，解决诱导木薯试管薯诱导效率低，诱导周期长等问题，以便提高木薯试管薯诱导效率。

本发明采用的技术方案为：

一种木薯试管薯的诱导方法，其步骤包括木薯组培苗继代培养和木薯试管薯诱导培养，所述木薯组培苗增殖继代培养是将无菌木薯组培苗分切成单芽茎段，转接到培养基A中进行增殖继代培养，所述木薯试管薯诱导培养是将增殖继代培养后的木薯组培苗单芽茎段，转接到诱导培养基B中进行培养，培养温度为27±1℃，光照强度为500～1000 lx，光照时间为12h/d，诱导培养周期为45～60d，其中所述诱导培养基B为MS+0.01～0.02mg/L NAA+60～80g/L蔗糖+1.5～2.0g/L活性炭的半固体培养基，pH值为5.8。

作为本发明的优选方案，所述培养基A为MS+0.01～0.02mg/L BA+0.01～0.02mg/L NAA+30g/L蔗糖的半固体培养基，pH值为5.8。

进一步地，所述增殖继代培养是在培养温度为27±1℃，光照强度为1500～2000 lx，光照时间为12h/d的条件下培养，其培养周期为40d。

综上所述，本发明的有益效果是：与现有技术对比，采用本发明的木薯试管薯高效诱导技术方法，可明显提高试管薯诱导率，缩短试管薯诱导，在45d的培养时间内，试管薯诱导效率可高达95％以上。另外，本方案是在组培条件下进行，不受季节限制，可实现周年结薯，可为木薯科研提高技术服务。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明的上述发明内容作进一步的详细描述，但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于下述实施例。

实施例1

将无菌木薯组培苗分切成单芽茎段，转接到培养基A中进行增殖继代培养，在培养温度为27±1℃，光照强度为1500 lx，光照时间为12h/d的条件下培养，其培养周期为40d，其中培养基A为MS+0.01mg/L BA+0.01mg/L NAA+30g/L蔗糖的半固体培养基，pH值为5.8；再将增殖继代培养后的木薯组培苗的单芽茎段，转接到诱导培养基B中进行培养，培养温度为27±1℃，光照强度为500lx，光照时间为12h/d，诱导培养周期为45d，其中所述诱导培养基B为MS+0.01mg/L NAA+60g/L蔗糖+1.5g/L活性炭的半固体培养基，pH＝5.8。

实施例2

将无菌木薯组培苗分切成单芽茎段，转接到培养基A中进行增殖继代培养，在培养温度为27±1℃，光照强度为1500 lx，光照时间为12h/d的条件下培养，其培养周期为40d，其中培养基A为MS+0.01mg/L BA+0.01mg/L NAA+30g/L蔗糖的半固体培养基，pH值为5.8；再将增殖继代培养后的木薯组培苗单芽茎段，转接到诱导培养基B中进行培养，培养温度为27±1℃，光照强度为500 lx，光照时间为12h/d，诱导培养周期为45d，其中所述诱导培养基B为MS+0.01mg/L NAA+70g/L蔗糖+1.5g/L活性炭的半固体培养基，pH＝5.8。

实施例3