[发明专利]用于集成电路的检测电路和方法有效

专利信息
申请号: 201410353856.7 申请日: 2014-07-23
公开(公告)号: CN105301483B 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 陈先敏;杨家奇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G01R31/3181 分类号: G01R31/3181
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 李志刚;吴贵明
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 集成电路 检测 电路 方法
【说明书】:

发明公开了一种用于集成电路的检测电路和方法。其中,该用于集成电路的检测电路包括:基准电流支路,用于提供基准电流;熔烧电流支路,连接有熔丝,用于提供熔断熔丝的熔断电流;比较器,第一输入端和第二输入端分别连接于基准电流支路和熔烧电流支路,用于比较基准电流支路的电流值与熔烧电流支路的电流值的大小;以及逻辑电路,与比较器的输出端相连接,用于根据比较结果判断是否将熔烧电流支路的电流值作为熔断电流。通过本发明,解决了现有技术集成电路中熔断电流不准确的问题,进而达到了提高集成电路中熔断电流的准确性效果。

技术领域

本发明涉及集成电路领域,具体而言,涉及一种用于集成电路的检测电路和方法。

背景技术

随着集成电路中熔丝的理论与技术逐渐成熟,熔丝的应用范围迅速扩大。其中熔丝单元的设计从原先的断裂模式的设计理念逐渐转变为当下普遍应用的电子迁移模式,通过电子迁移模式能够显著提高熔丝单元的稳定性和可靠性,而对于电子迁移模式的熔丝单元设计,其熔断电流的稳定性和精确度成为设计的关键,熔断电流对熔丝编程的可靠性至关重要。

现有技术中,一般通过测量或读取熔烧之后的熔丝的阻抗/逻辑来判断熔丝是否正确编程,然后再利用修复线路对其进行修复以间接的提高熔丝整体的良率。

但是,现有的方法在进行熔烧之前无法识别出编程电流的非理想性带来的可靠性风险,例如,熔断电流的不准确导致编程质量差,在高温条件下容易造成熔烧数据丢失,导致编程的不可靠性。

针对现有技术集成电路中熔断电流不准确的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种用于集成电路的检测电路和方法,以解决现有技术集成电路中熔断电流不准确的问题。

为了实现上述目的,根据本发明的一个方面,提供了一种用于集成电路的检测电路。根据本发明的检测电路包括:基准电流支路,用于提供基准电流;熔烧电流支路,连接有熔丝,用于提供熔断熔丝的熔断电流;比较器,第一输入端和第二输入端分别连接于基准电流支路和熔烧电流支路,用于比较基准电流支路的电流值与熔烧电流支路的电流值的大小;以及逻辑电路,与比较器的输出端相连接,用于根据比较结果判断是否将熔烧电流支路的电流值作为熔断电流。

进一步地,检测电路还包括:计数器,计数器连接在比较器和逻辑电路之间,用于记录熔烧电流支路的电流值处于预设电流值范围内的时间。

进一步地,基准电流支路包括:基准电流源,用于提供基准电流;以及第一NMOS开关,第一NMOS开关的第一端与基准电流源相连接并且与比较器的第一输入端相连接,第一NMOS开关的第二端接地,第一NMOS开关的栅极接VDD。

进一步地,熔烧电流支路包括:PMOS,PMOS的栅极接地;熔丝,熔丝的第一端与PMOS的第一端相连接,熔丝的第二端与比较器的第二输入端相连接;以及第二NMOS开关,第二NMOS开关的第一端与熔丝的第二端相连接,NMOS开关的第二端接地,NMOS开关的栅极接VDD,其中,基准电流支路包括第一NMOS开关,第一NMOS开关和第二NMOS开关相同。

为了实现上述目的,根据本发明的另一方面,提供了一种用于集成电路的检测方法。根据本发明的检测方法包括:获取基准电流的电流值;获取熔断熔丝的熔烧电流的电流值;比较熔烧电流的电流值是否大于基准电流的电流值,得到比较结果;如果比较出熔烧电流的电流值大于基准电流的电流值,则利用熔烧电流的电流值作为对熔丝编程的熔断电流;以及如果比较出熔烧电流的电流值小于基准电流的电流值,则获取新的熔烧电流的电流值,并判断新的熔烧电流的电流值是否大于基准电流的电流值。

进一步地,通过以下方式获取基准电流的电流值包括:获取预设熔烧电流的电流值;以及将预设熔烧电流的电流值的第一百分比作为基准电流的电流值。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410353856.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top