[发明专利]纳米二氧化硅薄膜基抛光片及其制备方法有效
申请号: | 201410353022.6 | 申请日: | 2014-07-23 |
公开(公告)号: | CN104128896B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 陈森军;崔嘉敏 | 申请(专利权)人: | 上虞市自远磨具有限公司 |
主分类号: | B24D11/00 | 分类号: | B24D11/00;B24D18/00;C09D163/00;C09D7/12 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 312300 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 二氧化硅 薄膜 抛光 及其 制备 方法 | ||
1.一种纳米二氧化硅薄膜基抛光片的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在盐酸存在的条件下,向二氧化硅醇溶液中加入表面改性剂和水,搅拌加热反应完全后得到纳米硅溶胶;
(2)将第一可溶性树脂和第一可溶性固化剂涂布于PET基片上形成预涂层,固化后得到处理过的基材;
(3)将步骤(1)得到的纳米硅溶胶、第二可溶性树脂和第二可溶性固化剂混合后,得到磨料涂布液;
(4)将步骤(3)得到的磨料涂布液均匀涂布于步骤(2)处理过的基材上,然后在80~100℃固化40~60小时,得到所述的纳米二氧化硅薄膜基抛光片。
2.根据权利要求1所述的纳米二氧化硅薄膜基抛光片的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的二氧化硅醇溶液为日产化学的IP-ST,所述的表面活性剂为KH-570。
3.根据权利要求1所述的纳米二氧化硅薄膜基抛光片的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,纳米硅溶胶中的硅粒子的粒径为50~140nm。
4.根据权利要求1所述的纳米二氧化硅薄膜基抛光片的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述的第一可溶性树脂为可溶性环氧树脂、可溶性酚醛树脂、可溶性聚酯和可溶性聚氨酯中的至少一种;
所述的第一可溶性固化剂为可溶性环氧固化剂,可溶性酚醛固化剂或者异氰酸酯。
5.根据权利要求4所述的纳米二氧化硅薄膜基抛光片的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述的第一可溶性树脂为南亚环氧树脂909,所述的第一固化剂为德国拜耳N3390,所述第一固化剂的用量为第一可溶性树脂质量的1~5%。
6.根据权利要求1所述的纳米二氧化硅薄膜基抛光片的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述的第二可溶性树脂为可溶性环氧树脂、可溶性酚醛树脂、可溶性聚酯和可溶性聚氨酯中的至少一种;
所述的第二可溶性固化剂为可溶性环氧固化剂,可溶性酚醛固化剂或者异氰酸酯。
7.根据权利要求6所述的纳米二氧化硅薄膜基抛光片的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述的第二可溶性树脂为质量比为1~3:1的山东圣泉EXP0334和南亚环氧树脂909的组合;
所述的第二可溶性固化剂为德国拜耳N3390,与所述的第二可溶性树脂的质量比为0.02~0.1:1。
8.根据权利要求6所述的纳米二氧化硅薄膜基抛光片的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述的纳米硅溶胶与第二可溶性环氧树脂的质量比为100:15~40。
9.根据权利要求1所述的纳米二氧化硅薄膜基抛光片的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述的磨料涂布液涂布的厚度为5-10μm。
10.一种纳米二氧化硅薄膜基抛光片,其特征在于,由权利要求1~9任一项所述的制备方法制备得到。
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