[发明专利]一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构，包括电极场板(301)，P阱(302)，P+区域(303)，绝缘介质材料(304)，N型体硅(305)，N型MOSFET(306)，P型MOSFET(307)，背部电极(308)，场板金属电极(309)，P+引出电极(310)，连接场板沟槽(311)；在电极场板的上方，两对相互配合的N型MOSFET(306)和P型MOSFET(307)安装在P+引出电极的两侧，每对N型MOSFET(306)和P型MOSFET(307)的两侧安装有和电极场板连接的场板金属电极(309)；电极场板、N型MOSFET、P型MOSFET、P+引出电极、场板金属电极共同封装在绝缘介质材料中；绝缘介质材料下方正中为与P+引出电极相连的P+区域，P+区域两侧为P阱，P+区域和P阱由N型体硅封装在一起；其特征在于：在电极场板与MOSFET之间有气隙，气隙不与MOSFET的沟道接触，气隙沿MOSFET源电极与漏电极连线的横向方向的宽度不超过源电极与漏电极的最远边界间距；气隙沿MOSFET源电极与漏电极连线的垂线方向大于MOSFET的宽度；气隙的水平接触材料为绝缘介质材料。

2.根据权利要求1所述的一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构，其特征在于：所述的绝缘介质材料为氮化硅或氧化硅。

3.根据权利要求1所述的一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构，其特征在于：所述的气隙的水平形状为椭圆形、矩形或圆形。

4.一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构的制作方法，其特征在于：

(1)采用绝缘体上硅外延片，生成绝缘介质层；

(2)蚀刻绝缘介质为非均匀结构；

(3)同另一顶层硅连续分布或非连续分布的绝缘体上硅外延片对接低温键合；

(4)去除支撑硅及绝缘介质材料，在制备MOSFET的硅层周边，蚀刻一圈沟槽，填充同电极场板的掺杂类型相同的外延重掺杂硅材料，引出电极场板沟槽。

5.根据权利要求4所述的一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构的制作方法，其特征在于：所述蚀刻绝缘介质的横向蚀刻尺寸大于MOSFET的沟槽长度。