[发明专利]一种线圈类负载电压暂降保护设备在审
申请号: | 201410350592.X | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN104143915A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 陈文波 | 申请(专利权)人: | 南京国臣信息自动化技术有限公司 |
主分类号: | H02M3/157 | 分类号: | H02M3/157 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 线圈 负载 电压 保护 设备 | ||
1.一种线圈类负载电压暂降保护设备,该设备输入端连接单相交流电源,输出端与交流接触器线圈端子相连,其特征在于:包括EMI滤波电路、单相整流滤波电路、单片机控制电路、驱动放大电路以及DC/DC变换电路;其中,所述EMI滤波电路的输出端与所述单相整流滤波电路相连;所述单相整流滤波电路输出端与所述DC/DC变换电路相连;所述单片机控制电路采样输入端与所述单相整流滤波电路相连,所述单片机控制电路输出端与所述驱动放大电路的输入端相连;所述驱动放大电路的输出端与所述DC/DC变换电路相连。
2.根据权利要求1所述的线圈类负载电压暂降保护设备,其特征在于:所述单片机控制电路的单片机型号为STM32F101RBT,单片机控制电路设有两个电压采样输入端U1和U2,电压采样输入端U1串联R1、R2后接地,电压采样输入端U2串联R3、R4后接地,单片机包括AN0端口和AN1端口,R1和R2之间连接AN0端口,R3和R4之间连接AN1端口,单片机还包括PWM信号输出端口和AN2端口,单片机通过AN2端口与电阻R5串联接地,同时单片机通过AN2端口采集MOS管电流,单片机还包括PA7端口,单片机通过PA7端口接地,单片机还包括端口1,单片机通过端口1接3.3V电压端,单片机还包括端口2和端口3,单片机的端口2和端口3分别与晶振连接。
3.根据权利要求1所述的线圈类负载电压暂降保护设备,其特征在于:所述EMI滤波电路包括交流输入端口L和N,EMI滤波后输出端口L1和N1,以及滤波电感、电容和电阻,L和N端口通过电容C1连接,L和N端口通过滤波电感与L1和N1端口连接,L1和N1端口通过电容C2连接,电容C2与R并联,L1端口与电容C3串联接地,N1端口和C4串联接地。
4.根据权利要求1所述的线圈类负载电压暂降保护设备,其特征在于:所述单相整流滤波电路包括L1、N1、U+、U-端口,L1端连接二极管D1的阳极,D3的阴极,N1端连接二极管D2的阳极,D4的阴极,U+端连接D1 和D2的阴极,U-端连接D3和D4的阳极,U+、U-端通过电容C5连接。
5.根据权利要求1所述的线圈类负载电压暂降保护设备,其特征在于:所述驱动放大电路包括PWM信号输入端和PWM1信号输出端,三极管Q1和三极管Q2的基极与PWM输入端连接,三极管Q1的集电极连接12V电压端,三极管Q2的发射极接地,电阻R1两端分别连接三极管Q1的基极和集电极,三极管Q1的发射极和三极管Q2的集电极连接并通过电阻R2与PWM1信号输出端连接,电阻R2的一端分别与三极管Q1的发射极和三极管Q2的集电极连接,电阻R2的另一端分别与电阻R3的一端、二极管D6的阴极和PWM1连接,电阻R3的另一端和稳压二极管D6的阳极接地,PWM1信号输出端连接稳压二极管D6的阴极。
6.根据权利要求1所述的线圈类负载电压暂降保护设备,其特征在于:所述DC/DC变换电路包括U+、U-端和L2、N2输出端,U+、U-端通过电容C6连接,二极管D5的阴极分别连接U+端和L2输出端,二极管D5的阳极分别连接N2输出端和MOS管的漏极,MOS管的源极连接电阻RS的一端,MOS管的栅极连接PWM1端,电阻RS的另一端连接U-端。
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