[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

说明书

衬底处理装置及半导体器件的制造方法。在进行各种气体的上方供给和/或上方排气的情况下，能够适当地进行对于衬底的工艺处理。衬底处理装置构成为，具备：衬底载置台，其载置有衬底；处理气体供给部，其从衬底载置台的上方侧向衬底的表面上供给处理气体；惰性气体供给部，其在处理气体供给部的侧方从衬底载置台的上方侧向衬底的表面上供给惰性气体；以及多个气体排气部，其在处理气体供给部与惰性气体供给部之间将供给到衬底的表面上的气体向衬底的上方侧排气。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。

背景技术

通常，在半导体器件的制造工序中，使用了对晶片等衬底进行成膜处理等工艺处理的衬底处理装置。作为衬底处理装置所进行的工艺处理，存在例如交替地供给多种处理气体而进行的循环处理。在该循环处理中，对于作为处理对象的衬底，例如将原料气体供给工序、吹扫(purge)工序、反应气体供给工序、吹扫工序作为1个循环，通过将该循环重复规定次数(n循环)，来进行衬底上的膜形成。

作为进行这样的工艺处理的衬底处理装置，已知有对衬底逐片进行处理的枚叶式衬底处理装置。在枚叶式衬底处理装置中，存在例如以下的衬底处理装置，其构成为：对作为处理对象的衬底从其上方侧向衬底表面上供给各种气体(例如原料气体、反应气体或吹扫气体)，并且，将供给到衬底表面上的各种气体向衬底的上方侧排气(例如，参照专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-222960号公报

专利文献2：美国专利申请公开第2012/0225191号说明书

发明内容

在以从衬底上方侧进行气体供给及气体排气的方式构成的衬底处理装置中，如果例如原料气体与反应气体发生气相反应，则在衬底上无法进行期望的工艺处理。另外，如果例如原料气体或反应气体与吹扫气体(惰性气体)混合，则会导致原料气体或反应气体的稀释化。因此，在所述衬底处理装置中，对于实现适当的工艺处理重要的是，能够将各种气体不混合地以分离状态供给到衬底表面上这一点。

本发明的目的在于提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，在进行各种气体的上方供给和/或上方排气的情况下，能够适当地进行对衬底的工艺处理。

根据本发明的一个方式，提供一种衬底处理装置，具备：

衬底载置台，其载置有衬底；

处理气体供给部，其从上述衬底载置台的上方侧向上述衬底的表面上供给处理气体；

惰性气体供给部，其在上述处理气体供给部的侧方从上述衬底载置台的上方侧向上述衬底的表面上供给惰性气体；以及

多个气体排气部，其在上述处理气体供给部与上述惰性气体供给部之间将供给到上述衬底的表面上的气体向上述衬底的上方侧排气。

根据本发明的其它方式，提供一种衬底处理装置，具备：

衬底载置台，其载置有衬底；

处理气体供给部，其从上述衬底载置台的上方侧向上述衬底的表面上供给处理气体；

惰性气体供给部，其在上述处理气体供给部的侧方从上述衬底载置台的上方侧向上述衬底的表面上供给惰性气体；以及

气体排气部，其在上述处理气体供给部与上述惰性气体供给部之间将供给到上述衬底的表面上的气体向上述衬底的上方侧排气。

相对于上述处理气体供给部的下表面，上述惰性气体供给部的下表面与上述衬底接近地配置。

根据本发明的其它方式，提供一种半导体器件的制造方法，其并行进行以下工序：