[发明专利]结晶化的硅的检测方法及装置

权利要求书

1.一种结晶化的硅的检测装置，通过低温多晶硅工序检测由非晶硅转换而成的结晶化的硅，其特征在于，包括：

工作台，用于放置结晶化的硅；

光源，向结晶化的上述硅的表面照射入射光；

照相机，捕捉在上述入射光所照射的结晶化的硅的表面因突起的形状而反射出的散射光的颜色及亮度变化，上述照相机设在上述散射光和结晶化的硅的表面呈10～30°的位置；以及

判别部，通过分析由上述照相机捕捉到的图像，来判别是否不合格。

2.根据权利要求1所述的结晶化的硅的检测装置，其特征在于，上述检测装置能够对结晶化的硅的质量进行实时的监控。

3.根据权利要求1所述的结晶化的硅的检测装置，其特征在于，上述检测装置能够以非破坏性的方式对结晶化的硅的质量进行监控。

4.根据权利要求1所述的结晶化的硅的检测装置，其特征在于，上述光源设在上述入射光和散射光呈10～30°的位置。

5.根据权利要求1所述的结晶化的硅的检测装置，其特征在于，上述判别部通过将由上述照相机捕捉的散射光转换为色坐标，来进行数值化。

6.根据权利要求1所述的结晶化的硅的检测装置，其特征在于，上述判别部在抽取由上述照相机捕捉的图像的像素信息并进行标准化之后，决定部分结晶化质量。

7.一种结晶化的硅的检测方法，通过低温多晶硅工序检测由非晶硅转换而成的结晶化的硅，其特征在于，包括：

步骤(a)，在工作台上放置结晶化的硅；

步骤(b)，通过光源向结晶化的硅的表面照射光；以及

步骤(c)，通过照相机捕捉在结晶化的上述硅的表面由突起的形状引起的散射光的颜色及亮度变化，进而对结晶化的硅的结晶质量进行检测。

8.根据权利要求7所述的结晶化的硅的检测方法，其特征在于，在上述步骤(c)中，在结晶化的上述硅的表面上，规则性突起越多，上述照相机捕捉的散射光就越蓝且越亮；在结晶化的上述硅的表面上，不规则突起越多，上述照相机捕捉的散射光就越绿且越暗。

9.根据权利要求7所述的结晶化的硅的检测方法，其特征在于，在上述步骤(c)之后，还包括步骤(d)，判别结晶化的上述硅是否不合格。