[发明专利]存储器装置及其编程方法在审

专利信息
申请号: 201410346191.7 申请日: 2014-07-21
公开(公告)号: CN105304134A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 蔡秉宏;蔡文哲 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置 及其 编程 方法
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种存储器装置及其编程方法,且特别是有关于一种平面式存储器装置及其编程方法。

背景技术

非易失性存储器的种类甚多,目前又以闪存(flashmemory)为主流商品。现有的闪存大多采用非平面式(non-planar)结构,以藉此增加栅极耦合率(gate-couplingratio,简称GCR)。此外,随着存储单元的尺寸逐渐地缩减,闪存可能需采用平面式(planar)结构来加以实现。然而,平面式闪存(planarflashmemory)具有较低的栅极耦合率。因此,现有的编程方法应用在平面式闪存时往往会导致平面式闪存的编程速度大幅地下降。

发明内容

本发明提供一种存储器装置及其编程方法,用以提升存储器装置的编程速度。

本发明提出一种存储器装置的编程方法。其中,存储器装置包括相互串接的第一晶体管、存储单元串与第二晶体管,存储单元串包括目标存储单元、与目标存储单元相邻的第一与第二周边存储单元以及与目标存储单元不相邻的多个非目标存储单元,且存储器装置的编程方法包括下列步骤:导通第一晶体管并关闭第二晶体管;利用传递电压开启所述多个非目标存储单元,并利用辅助电压开启第一周边存储单元与第二周边存储单元;以及,利用编程电压对目标存储单元进行编程;其中,辅助电压大于传递电压,且辅助电压小于编程电压。

本发明还提出一种存储器装置,包括存储器阵列与电路。存储器阵列包括相互串接的第一晶体管、存储单元串与第二晶体管,且存储单元串包括目标存储单元、与目标存储单元相邻的第一与第二周边存储单元、以及与目标存储单元不相邻的多个非目标存储单元。电路电性连接存储器阵列。在编程期间,电路导通第一晶体管并关闭第二晶体管。此外,电路利用传递电压开启所述多个非目标存储单元,并利用辅助电压开启第一周边存储单元与第二周边存储单元。再者,电路利用编程电压对目标存储单元进行编程。其中,辅助电压大于传递电压,且辅助电压小于编程电压。

基于上述,本发明是利用辅助电压来开启与目标存储单元相邻的第一周边存储单元与第二周边存储单元。此外,辅助电压大于传递电压,且辅助电压小于编程电压。藉此,辅助电压将可用以提升目标存储单元的浮置栅的电压的上升速度,进而有助于提升存储器装置的编程速度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1为依据本发明一实施例的存储器装置的示意图。

图2为依据本发明一实施例的存储器装置的编程方法流程图。

图3为依据本发明一实施例的存储器阵列的布局剖面示意图。

图4为依据本发明一实施例的用以说明步骤S220与S230的细部步骤的流程图。

图5为用以说明图4实施例的波形图。

图6为依据本发明另一实施例的用以说明步骤S220与S230的细部步骤的流程图。

图7为用以说明图6实施例的波形图。

图8为依据本发明一实施例的编程电压与目标存储单元的阈值电压的变动量的曲线图。

图9为依据本发明另一实施例的用以说明步骤S220与S230的细部步骤的流程图。

图10为用以说明图9实施例的波形图。

图11为依据本发明另一实施例的用以说明步骤S220与S230的细部步骤的流程图。

图12为用以说明图11实施例的波形图。

图13为依据本发明另一实施例的编程电压与目标存储单元的阈值电压的变动量的曲线图。

【符号说明】

100:存储器装置

110:存储器阵列

120:电路

121:列译码器

122:行译码器

SW1:第一晶体管

SW2:第二晶体管

10:存储单元串

101~106:存储单元

BL1:位线

CSL:共源极线

SSL:串选择线

GSL:接地选择线

WL1~WL6:字线

GND:接地电压

Vs1、Vg1:选择电压

Vps:传递电压

Vas:辅助电压

Vpm:编程电压

S210~S230:图2实施例中的各步骤

310:通道

S410~S450:图4实施例中的各步骤

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