[发明专利]一种锗的化学机械抛光方法

权利要求书

1.一种锗的化学机械抛光方法，该方法包括以下步骤：

a.提供待抛光的晶圆，该晶圆具有生长完成的锗沟槽，锗沟槽之间为测量隔离区；

b.确认锗沟槽与测量隔离区齐平的最低图形密度ρ；

c.遮蔽在晶圆上图形密度小于ρ的锗沟槽，并暴露图形密度大于或等于ρ的锗沟槽；

d.对暴露的区域进行离子注入处理；

e.除去对晶圆的遮蔽；

f.对所述晶圆进行化学机械抛光。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤b中，确认最低图形密度ρ的方法为物理裂片分析。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c包括：

c1.制备光刻版，该光刻版可实现对图形密度大于等于ρ的区域的光刻；

c2.在所述晶圆上涂覆光刻胶，并采用c1中形成的光刻版进行显影，去除晶圆上大于最低图形密度区域上的光刻胶。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤d中，离子注入深度等于或小于锗沟槽高于测量隔离区的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤d中，所述离子注入处理采用的离子种类包括C,H,B,BF₂,In,P,As,Sb,Ge,Si,F中的一种或其组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤d中，所述离子注入处理的能量为1KeV～1000KeV。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤d中，所述离子注入处理的注入剂量为1×10¹⁰～1×10¹⁶cm^-2。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤f中，所使用的抛光液为酸性或碱性SiO₂基抛光液以及酸性或碱性Al₂O₃基抛光液。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤f中，所使用的抛光垫为硬抛光垫、软抛光垫。