[发明专利]一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

1)在玻璃或者塑料衬底上淀积一层透明导电薄膜材料，光刻、刻蚀出栅电极；

2)接着生长一层绝缘材料作栅介质层，光刻、刻蚀出栅介质；

3)然后利用溅射工艺生长一层氧化锌半导体材料层，溅射使用的靶材为掺镍的氧化锌陶瓷靶，镍的含量为2％-10％，溅射过程中控制氧气分压为2-20％，光刻、刻蚀出半导体沟道结构；

4)再淀积一层透明导电薄膜材料，光刻、刻蚀出源、漏电极；

5)接着生长一层钝化介质层，光刻、刻蚀形成栅、源和漏的引出孔；

6)最后生长一层金属薄膜，光刻、刻蚀形成金属电极和互连。

2.如权利要求1所述薄膜晶体管的制备方法，其特征是，步骤1)具体为，采用溅射技术生长一层ITO、AZO或GZO透明导电薄膜材料。

3.如权利要求1所述薄膜晶体管的制备方法，其特征是，步骤2)具体为，利用PECVD在80-200摄氏度温度下生长一层二氧化硅或者氮化硅或者采用ALD生长一层氧化铪、氧化铝或者氧化锆绝缘材料。

4.如权利要求1所述薄膜晶体管的制备方法，其特征是，步骤4)具体为，淀积一层ITO、AZO或GZO透明导电薄膜材料。