[发明专利]多晶硅铸锭用石英坩埚底部引晶涂层的制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅铸锭用石英坩埚底部引晶涂层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)制备混合物A，按重量计所述混合物A包括氮化硅450～500份、高分子硅基有机胶560～625份、硅烷偶联剂20～22份；

(2)按重量计，将10～20份聚乙烯醇加入300份纯净水中，搅拌均匀得到高分子聚乙烯醇胶；制备混合物B，按重量计所述混合物B包括硅粉250～300份、高分子聚乙烯醇胶250～300份、硅烷偶联剂10～12份；

(3)将搅拌均匀的混合物A涂刷在石英坩埚内的侧壁及底部至形成一结构层；将搅拌均匀的混合物B涂刷在石英坩埚内底部的结构层上即形成引晶涂层。

2.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用石英坩埚底部引晶涂层的制备方法，其特征在于：步骤(3)中的涂刷过程在室温下进行。

3.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用石英坩埚底部引晶涂层的制备方法，其特征在于：所述的硅烷偶联剂为γ-氨基丙基三乙氧基硅烷或γ-缩水甘油醚氧丙基三甲硅。

4.根据权利要求1或2或3所述的多晶硅铸锭用石英坩埚底部引晶涂层的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的纯净水指电阻率为10～18MΩ·CM的去离子水。

5.根据权利要求1或2或3所述的多晶硅铸锭用石英坩埚底部引晶涂层的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的搅拌温度为70～80℃，搅拌时间为40～60min。

6.根据权利要求1或2或3所述的多晶硅铸锭用石英坩埚底部引晶涂层的制备方法，其特征在于：所述的氮化硅指高纯单晶氮化硅，其直径为5～80nm。

7.根据权利要求1或2或3所述的多晶硅铸锭用石英坩埚底部引晶涂层的制备方法，其特征在于：所述的高分子硅基有机胶由硅橡胶、丁橡胶及SiO₂组成，且25℃下所述高分子硅基有机胶的粘度为45～50Pa·s。

8.根据权利要求1或2或3所述的多晶硅铸锭用石英坩埚底部引晶涂层的制备方法，其特征在于：所述硅粉指纯度在99.9999％以上的多晶硅，其直径为0.15～0.25mm。

9.根据权利要求1或2或3所述的多晶硅铸锭用石英坩埚底部引晶涂层的制备方法，其特征在于：所述的聚乙烯醇为低粘度型，pH值为4.5～6.5。