[发明专利]电磁扰动多晶硅除杂装置及其方法

权利要求书

1.一种电磁扰动多晶硅除杂装置，包括炉体（3），在炉体（3）内下部设有石墨底座（4），在石墨底座（4）上配有装入多晶硅料的坩锅（2），在炉体（3）内位于坩锅（2）周边设有与系统控制装置相接的加热体（1），其特征在于：在炉体（3）内位于坩锅（2）的外侧设有与系统控制装置相接的感应线圈（7）。

2.根据权利要求1所述的电磁扰动多晶硅除杂装置，其特征在于：在炉本（3）的内侧壁上固定有支架（9），在支架（9）上固定有电木板（10），所述的感应线圈（7）固定在电木板（10）上。

3.一种利用权利要求1或2所述的电磁扰动多晶硅除杂装置对多晶硅进行加热凝固除杂方法，其特征在于：步骤如下：

⑴、向坩锅（2）内装入多晶硅料，关闭炉体（3）的腔室，抽高真空，真空度小于0.1Pa；

⑵、检查设备各项参数，确认无误后开始运行程序，加温；

⑶、温度达到1420-1480℃后，进入保温状态，保温时间为1-2小时，直到出现硅料完全熔化现象后，即通过观察窗看见硅料完全处于液态，进入长晶阶段；

⑷、长晶阶段，通过石英棒每一个小时测量一次固液界面高度，并控制固液界面的生长速度；

⑸、当固液界面（6）位置到达距硅液顶部3-8厘米的位置时，设定程序控温降低固液界面的生长速度，此时感应线圈（7）通交变电流，产生磁感应力，使熔硅向中间聚集并形成凸起，通过调节交变电流弱化顶部高杂志区熔硅凝固的结合力，并最终形成凸性突起（5），交变电流的频率为1khz-10khz，功率为30kw-100kw；

⑹、冷却阶段，硅锭冷却到设定温度出炉；

⑺、去除凸性突起（5）。