[发明专利]一种微晶铝化物涂层制备方法在审
| 申请号: | 201410339307.4 | 申请日: | 2014-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN105256272A | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
| 发明(设计)人: | 沈明礼;朱圣龙;王福会 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/48 |
| 代理公司: | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人: | 任玉龙 |
| 地址: | 110015 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 微晶铝化物 涂层 制备 方法 | ||
1.一种微晶铝化物涂层制备方法,其特征在于:制备过程在真空中进行;采用真空阴极电弧蒸发方法产生高密度等离子体;在工件上施加高频脉冲负偏压,使等离子体中金属离子注入到工件表层内部,并形成亚微米级晶粒的铝化物涂层。
2.按照权利要求1所述的微晶铝化物涂层制备方法,其特征在于:所述的真空阴极电弧蒸发方法,使用纯铝或铝合金靶材,弧电流40~50A;所述铝合金中合金组元包括但不限于Si、Hf、Cr、Y、原子序数为57到71的15种镧系元素之一,或上述元素的组合,合金组元总含量为10ppm至15%,此值为原子比。
3.按照权利要求1所述的微晶铝化物涂层制备方法,其特征在于:所述的高频脉冲负偏压方法,偏压为-400~-1000V,占空比20~60%,频率5~100kHz。
4.按照权利要求1所述的微晶铝化物涂层制备方法,其特征在于:所述的真空,通氩气前背底真空度最优达到0.05Pa或更低,至少应达到5Pa,通氩气后真空度为6-40Pa。
5.按照权利要求1所述的微晶铝化物涂层制备方法,其特征在于:所述的微晶铝化物涂层的制备工艺过程,安装工件和靶材,真空室抽真空,通入氩气,在工件上施加高频脉冲负偏压,引燃真空阴极电弧,涂层达到所要求厚度后,关闭铝化物涂层制备系统,取出工件。
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