[发明专利]场效应晶体管SOA曲线的验证平台及测试方法有效
申请号: | 201410339047.0 | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN104090223B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 罗景涛 | 申请(专利权)人: | 西安芯派电子科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 蔡和平 |
地址: | 710075 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 soa 曲线 验证 平台 测试 方法 | ||
1.场效应晶体管SOA曲线的验证平台,其特征在于,包括控制单元、用于显示测试信号波形的监控单元和用于为待测器件(DUT)提供漏极电压(VD)的功率源;所述的控制单元包括用于输出脉冲时间的单片机(U1),用于控制平台启动的开关(B1),依次连接的第一运放(U2)和第二运放(U3),以及待测器件(DUT)源极接入端连接的阻值为1R的精密功率电阻(R6);所述的监控单元的输入端分别接入漏极电压(VD)和精密功率电阻(R6)的压降;所述单片机(U1)的串行输入口连接一端接地的开关(B1),串行输出口通过第二电阻(R2)连接第一运放(U2)的反向输入端,第二运放(U3)的输出端通过第七电阻(R7)连接待测器件(DUT)的栅极接入端;第一运放(U2)的输出端通过可变电阻(RV1),并经可变电阻(RV1)的调节端,然后通过第四电阻(R4)连接第二运放(U3)的反向输入端;
所述的单片机(U1)的复位端连接复位电路,复位电路由串联在复位端的第一电阻(R1)和第一电容(C1)组成,第一电阻(R1)和第一电容(C1)连接端接地设置;
第一运放(U2)的反向输入端和输出端之间设置第一滤波电路;第一滤波电路由并联设置在第一运放(U2)的反向输入端和输出端之间的第三电阻(R3)和第三电容(C3)组成。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管SOA曲线的验证平台,其特征在于,所述的监控单元采用不少于两通道的示波器。
3.根据权利要求1所述的场效应晶体管SOA曲线的验证平台,其特征在于,所述的单片机(U1)采用单片机AT89C2051。
4.根据权利要求1所述的场效应晶体管SOA曲线的验证平台,其特征在于,第二运放(U3)的反向输入端和输出端之间设置第二滤波电路;第二滤波电路由并联设置在第二运放(U3)的反向输入端和输出端之间的第五电阻(R5)和第五电容(C5)组成;第二运放(U3)的输出端依次经第七电阻(R7)和待测器件(DUT),从待测器件(DUT)的源极接入端分别与第五电阻(R5)和第五电容(C5)连接。
5.基于权利要求1所述验证平台的场效应晶体管SOA曲线的测试方法,场效应晶体管SOA点参数包括漏极电压,漏极电流,脉冲时间三个参数,其特征在于,包括如下步骤,
1)预设值;
根据脉冲时间计算单片机(U1)循环所需机器周期数,将该周期数修正到单片机(U1)中;完成脉冲时间设置;
调节功率源为电压输出模式,设置其输出电压为漏极电压;完成漏极电压的设置;
在待测器件(DUT)的源极输入端连接阻值为1R的精密功率电阻(R6),当漏极电流通过精密功率电阻(R6)时产生压降,压降的量值与漏极电流的量值相当;通过可变电阻(RV1)调节第二运放(U3)反向输入端电压的负值与压降相等;完成漏极电流的设置;
2)测试;
将待测器件(DUT)装入测试电路中,监控单元分别接入漏极电压和压降,设置监控单元为自动捕获模式,依次开启单片机(U1)电源,功率源,闭合开关(B1),监控单元将直观显示漏极电压,漏极电流的波形,脉冲时间通过监控单元自带的时间函数测试功能自动读取;
当脉冲时间等于设定值且持续时,漏极电压,漏极电流的波形无包括削波,震荡或尖刺的异样时,测试通过;待测器件(DUT)能够在该参数点条件下正常工作;
当脉冲时间持续到某一时刻时,漏极电压急速下降,同时漏极电流急速上升,功率源的保护启动,当漏极电流继续上升到某一值后功率源输出切断,漏极电压和漏极电流回归零值,测试失效,待测器件(DUT)不能在该参数点条件下正常工作。
6.根据权利要求5所述的场效应晶体管SOA曲线的测试方法,其特征在于,将周期数修正到单片机(U1)中时,采用keil uvisoin2软件进行程序编辑得到单片机(U1)循环所需的机器周期数。
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