[发明专利]一种薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、清洗AZO玻璃基片，通过进样室把清洗干净的AZO玻璃基片送到等离子体刻蚀设备反应室的基片架上；

步骤二、开加热电源，对基片架进行加热；

步骤三、对反应室抽真空，直到反应室的本底真空度为1×10^-4-3×10^-3Pa；

步骤四、同时通入反应气体氮气和氢气，并且调整反应室工作气压为0.3-15Pa；

步骤五、开启射频电源，预热5分钟，设置功率，调节匹配，直至起辉产生等离子体；

步骤六、继续通入氮气和氢气，并保持加热温度，同时开始计时刻蚀；

步骤七、达到刻蚀时间后，关闭射频电源，关闭加热电源，关闭气体，对反应室抽气，两个小时后，取出AZO玻璃基片，即完成AZO玻璃基片的刻蚀；

所述步骤一AZO玻璃基片的清洗步骤包括：先用去污粉加清水冲洗，直至没有气泡，然后用丙酮清洗，再用95％的乙醇冲洗后，用乙醇溶液再超声清洗20分钟，最后用去离子水冲洗，用去离子水再超声清洗20分钟，然后用高纯氮气吹干。

2.如权利要求1所述薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法，其特征在于：所述AZO玻璃基片的AZO薄膜厚度为400nm-2μm。

3.如权利要求1所述薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法，其特征在于：所述步骤二基片架加热温度为150-300℃。

4.如权利要求1所述薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法，其特征在于：所述步骤四通入的氮气流量为5-20sccm，氢气流量为1-10sccm。

5.如权利要求1所述薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法，其特征在于：所述步骤五的射频电源频率为400KHz-13.56MHz，功率为300-2000W。

6.如权利要求1所述薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法，其特征在于：所述步骤六的刻蚀时间为1-20分钟。

7.如权利要求1所述薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法，其特征在于：所述基片架加热温度为200℃，反应室真空度为1.5×10^-4Pa，氮气和氢气流量分别为8sccm和2.5sccm，射频频率和功率分别为456KHz和1800W，刻蚀时间为2分钟。