[发明专利]接触孔的制作方法

权利要求书

1.一种接触孔的制作方法，所述接触孔的长轴与短轴不相等，其特征在于，所述长轴是指所述接触孔横截面积中相对较长的直径，所述短轴是指所述接触孔横截面积中相对较短的直径，该制作方法包括：

在衬底的表面上远离所述衬底的方向上依次形成介质层和具有图形的掩膜层；

沿所述掩膜层中所述图形的长轴方向，在裸露于所述图形外的所述介质层的两端上形成辅助掩膜层，所述辅助掩膜层选自有机抗反射涂层，氧化硅或氮化硅；

沿所述掩膜层中所述图形向下刻蚀所述辅助掩膜层和所述介质层至暴露出所述衬底，在介质层中形成所述接触孔；

去除所述掩膜层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述掩膜层的步骤包括：

在所述介质层上沿远离所述介质层的方向依次形成掩膜预备层和具有通孔的第一光刻胶层，所述通孔的形状与所欲形成的所述接触孔的形状相同；

沿所述通孔刻蚀所述掩膜预备层至暴露出所述介质层，以形成图形化的所述掩膜层；

去除剩余的第一光刻胶层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，刻蚀所述掩膜预备层以形成具有图形的所述掩膜层的步骤后，进一步刻蚀去除部分所述介质层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，去除所述介质层的厚度为1~200Å。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述辅助掩膜层的步骤中，形成覆盖在所述掩膜层，以及裸露于所述图形外的所述介质层沿所述图形长度方向设置的两端的所述辅助掩膜层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成所述辅助掩膜层的步骤包括：

在所述掩膜层，以及裸露于所述图形外的所述介质层上形成辅助掩膜预备层；

在所述辅助掩膜预备层中欲形成所述辅助掩膜层的部分上形成第二光刻胶层；

去除未被所述第二光刻胶层覆盖的所述辅助掩膜预备层；

去除所述第二光刻胶层，形成所述辅助掩膜层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，去除所述辅助掩膜预备层的工艺为湿法刻蚀。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，湿法刻蚀去除所述辅助掩膜预备层时的刻蚀速率为10~50Å/min。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的制作方法，其特征在于，位于所述介质层上的所述辅助掩膜层沿所述图形长度方向的总长度为所述图形长度的25%~60%。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，位于所述介质层上的所述辅助掩膜层的厚度为所述介质层的厚度的1/20~1/10。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述介质层包括远离所述衬底的方向上依次设置的刻蚀阻挡层和介电材料层；所述掩膜层包括远离所述介质层的方向上依次设置的掩膜材料层和抗反射涂层。