[发明专利]用于减少MOSFET闪烁噪声的模块化方法

权利要求书

1.一种用于减少一个或多个金属氧化物半导体场效应晶体(MOSFET)的闪烁噪声的方法，其特征在于，所述方法包含：

选择器件中的一个或多个表面沟道MOSFET；和

将所述一个或多个表面沟道MOSFET转换成一个或多个掩埋沟道MOSFET。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个表面沟道MOSFET被用在器件中的一个或多个运算放大器的输入端。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个表面沟道MOSFET被用在轨到轨运算放大器。

4.根据权利要求1所述的方法，其中对于一个或多个MOSFET，从一个或多个表面沟道MOSFET到一个或多个掩埋沟道MOSFET的的转换包含：应用一个或多个掩模来提供反掺杂注入到所述一个或多个表面沟道MOSFET的沟道。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述一个或多个表面沟道MOSFET包含表面沟道p沟道MOSFET；所述反掺杂注入包含注入硼(B)或二氟化硼(BF2)到表面沟道P-MOSFET的沟道。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述一个或多个表面沟道MOSFET包含表面沟道n沟道MOSFET；所述反掺杂注入包含注入磷(P)或砷(As)到表面沟道NMOS的沟道。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件使用0.25微米或更大的工艺技术制作；所述一个或多个表面沟道器件包含n沟道MOSFET。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件使用小于0.25微米工艺技术制作；所述一个或多个表面沟道器件包含p型栅电极p-沟道MOSFET和/或n-型栅电极n-沟道MOSFET。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或多个表面沟道MOSFET是模拟电路的一部分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或多个表面沟道MOSFET是高精度模拟电路的一部分。

11.一种用于减少一个或多个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的闪烁噪声的器件，其特征在于，所述器件包含：被选择用于转换为一个或多个掩埋沟道MOSFET的一个或多个表面沟道MOSFET；应用到所述一个或多个表面沟道MOSFET的沟道、以将一个或多个表面沟道MOSFET转换成一个或多个掩埋沟道MOSFET的一个或多个掩模，其中一个或多个掩模提供反掺杂注入到沟道。

12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述器件是运算放大器；所述一个或多个表面沟道MOSFET被用在所述运算放大器的输入端。

13.根据权利要求12所述的器件，其特征在于，所述器件是轨对轨运算放大器。

14.根据权利要求11所述的器件，其中，所述一个或多个表面沟道MOSFET包含表面沟道p沟道MOSFET；所述反掺杂注入包含注入硼(B)或二氟化硼(BF2)到表面沟道P-MOSFET的沟道。

15.根据权利要求11所述的器件，其中，所述一个或多个表面沟道MOSFET包含表面沟道n沟道MOSFET；所述反掺杂注入包含注入磷(P)或砷(As)到表面沟道NMOSFET的沟道。

16.根据权利要求11所述的器件，其中，所述器件使用0.25微米或更大的工艺技术制作；所述一个或多个表面沟道器件包含n沟道MOSFET。

17.根据权利要求11所述的器件，其中，所述器件使用小于0.25微米工艺技术制作；所述一个或多个表面沟道器件包含p型栅电极p-沟道MOSFET和/或n-型栅电极n-沟道MOSFET。

18.根据权利要求11所述的器件，其中，所述一个或多个表面沟道MOSFET是模拟电路的一部分。

19.根据权利要求11所述的器件，其中，所述一个或多个表面沟道MOSFET是高精度模拟电路的一部分。

20.一种被适配为具有降低的闪烁噪声的轨对轨运算放大器，所述运算放大器包含：被选择用于转换为一个或多个掩埋沟道MOSFET的一个或多个表面沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，以及应用到一个或多个表面沟道MOSFET的沟道的一个或多个掩模、以将一个或多个表面沟道MOSFET转换成一个或多个掩埋沟道MOSFET，其中一个或多个掩模提供反掺杂注入到沟道。