[发明专利]一种电子器件封装用组合物及封装方法和OLED显示装置在审
申请号: | 201410334114.X | 申请日: | 2014-07-14 |
公开(公告)号: | CN104167394A | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | 洪瑞;王丹;藤野诚治 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子器件 封装 组合 方法 oled 显示装置 | ||
1.一种电子器件封装用组合物,包括基质,其特征在于,还包括具有吸附水汽能力的吸附材料,所述吸附材料包括凹凸棒土和/或沸石。
2.根据权利要求1所述的电子器件封装用组合物,其特征在于,所述凹凸棒土的分子式为(MgCaFe)5Si8O20(OH)2(OH2)4·4H2O,所述沸石的分子通式为A[(AlO2)x(SiO2)y]·nH2O,其中A为K+、Ca+、Na+或Ba+;y/x的数值范围为1-5;n为水分子数,其为≤4的正整数。
3.根据权利要求1所述的电子器件封装用组合物,其特征在于,所述凹凸棒土的摩尔百分数含量为5-15%,和/或,所述沸石的摩尔百分数含量为4-10%。
4.根据权利要求1-3任一项所述的电子器件封装用组合物,其特征在于,所述基质包括V2O5、P2O5或TeO2,V2O5的摩尔百分数含量为45-52%,P2O5的摩尔百分数含量为20-32%,TeO2的摩尔百分数含量为5-9%。
5.根据权利要求4所述的电子器件封装用组合物,其特征在于,所述基质还包括Al2O3、SnO、SnO2、SiO2、WO3、ZrO、TiO、CuO、MoO3以及陶瓷材料,Al2O3、SnO、SnO2、SiO2、WO3、ZrO、TiO、CuO、MoO3以及陶瓷材料的总摩尔百分数含量为2-4%。
6.一种OLED显示装置,包括封装基板和衬底,所述衬底上设置有OLED显示器件,其特征在于,所述封装基板和所述衬底之间采用权利要求1-5任一所述的电子器件封装用组合物粘结密封。
7.一种电子器件的封装方法,其特征在于,采用包括具有吸附水汽能力的吸附材料的电子器件封装用组合物对电子器件进行封装,所述吸附材料包括凹凸棒土和/或沸石。
8.根据权利要求7所述的电子器件的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1):将凹凸棒土和/或沸石、基质和溶剂调配形成具有粘性的膏状物质,其中,溶剂为有机物,基质以及凹凸棒土和/或沸石为无机物;
S2):将所述膏状物质涂覆在封装基板的边框区域,并形成封装图形;
S3):将完成S2)的所述封装基板进行高温烘干,去除所述膏状物质中的有机物,得到剩余的无机物;
S4):将完成S3)的所述封装基板与设置有电子器件的衬底对合;
S5):将无机物进行烧结,形成封装膜,使所述封装基板与所述衬底粘结密封。
9.根据权利要求8所述的电子器件的封装方法,其特征在于,S1)中,所述凹凸棒土和/或所述沸石的粒径范围为D10:0.8±0.2μm、D50:1.6±0.5μm、D90:3.3±1μm或Dmax:8.0±1μm;所述基质至少包括V2O5、P2O5或TeO2;所述溶剂包括乙基纤维素、甲基纤维素、硝化纤维素、羟甲基纤维素、丙烯酸酯、基丙烯酸酯或环氧树脂。
10.根据权利要求9所述的电子器件的封装方法,其特征在于,所述膏状物质的粘度范围为20-160Pa.s。
11.根据权利要求8所述的电子器件的封装方法,其特征在于,S3)中,对所述封装基板进行高温烘干的温度范围为400-500℃,烘干时间范围为20-40min。
12.根据权利要求8所述的电子器件的封装方法,其特征在于,S5)中,采用激光加热方式使所述无机物熔化、而后冷却固化完成烧结,其中,激光器的功率范围为5-40w,速度范围为5-30mm/s;所述无机物形成的封装膜的厚度范围为4-10μm。
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