[发明专利]热插拔应用中的故障检测有效
申请号: | 201410333820.2 | 申请日: | 2014-07-14 |
公开(公告)号: | CN104283421B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 约书亚·约翰·西蒙森;克里斯多夫·布鲁斯·乌明格 | 申请(专利权)人: | 凌力尔特有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155;G01R31/26 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 美国加州米*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 热插拔 应用 中的 故障 检测 | ||
1.一种用于提供从输入节点到输出节点的功率的系统,其特征在于,包括:
至少一个开关,所述至少一个开关耦合在所述输入节点和所述输出节点之间并由开关控制信号控制,所述开关控制信号用于执行开关工作以提供从所述输入节点到所述输出节点的功率,所述开关被提供导通ON信号以命令所述开关导通,以及
故障检测电路,所述故障检测电路用于当所述开关被命令导通且至少一个以下状态被检测到时,指示所述开关的故障状态:
所述输入节点和所述输出节点之间的电压超过预定值,或
所述开关控制信号的值不足以导通所述开关;
仅当所述检测到的状态出现预定时间周期时,指示所述故障状态。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,多个开关并联耦合在所述输入节点和所述输出节点之间。
3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,当所述多个开关被命令导通并且全部所述多个开关的开关控制信号不足以导通所述多个开关时,所述故障检测电路被配置用来指示所述故障状态。
4.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,当所述多个开关被命令导通并且所述多个开关中任一个开关的开关控制信号不足以导通所述开关时,所述故障检测电路被配置用来指示所述故障状态。
5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,当所述一个开关被命令导通,所述一个开关的开关控制信号不足以导通所述开关时且所述开关的输出信号没有正在被调节时,所述故障检测电路被配置用来指示所述故障状态。
6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述一个开关包括金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET,当所述MOSFET被命令导通且所述MOSFET的漏极和源极之间的电压高于第一预定时间周期的第一阈值时,所述故障检测电路被配置用来指示所述故障状态。
7.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述一个开关包括MOSFET,当所述MOSFET被命令导通且所述MOSFET的栅源电压低于第二预定时间周期的第二阈值时,所述故障检测电路被配置用来指示所述故障状态。
8.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,多个MOSFET开关耦合在所述输入和输出节点之间。
9.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,当所述多个MOSFET开关被命令导通并且全部所述多个MOSFET开关的栅源电压低于预定时间周期的阈值时,所述故障检测电路被配置用来指示所述故障状态。
10.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,当所述多个MOSFET开关被命令导通并且所述多个MOSFET开关中任一个MOSFET开关的栅源电压低于预定时间周期的阈值时,所述故障检测电路被配置用来指示所述故障状态。
11.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,当所述多个MOSFET开关被命令导通并且一个MOSFET开关的栅源电压低于阈值且所述MOSFET开关的输出信号没有正在被调节时,所述故障检测电路被配置用来指示所述故障状态。
12.一种用于检测系统中的故障状态的电路,其特征在于,
所述系统用于提供从输入节点到输出节点的功率且具有耦合在所述输入节点和所述输出节点之间的一个或多个MOSFET开关;
当所述MOSFET被命令导通并且所述MOSFET的漏极和栅极之间的电压高于第一预定时间周期的第一阈值时,或当所述MOSFET被命令导通并且所述MOSFET的栅源电压低于第二预定时间周期的第二阈值时,所述电路被配置用来指示所述MOSFET的故障状态。
13.根据权利要求12所述的电路,其特征在于,多个MOSFET开关被并联布置在所述输入节点和所述输出节点之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凌力尔特有限公司,未经凌力尔特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410333820.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。