[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

氮化物半导体层；

Al_xGa_(1-x)N层，所述Al_xGa_(1-x)N层被形成在GaN层上，在所述Al_xGa_(1-x)N层中，p型杂质的浓度和n型杂质的浓度都是1×10¹⁶cm^-3或者更低，其中0<x≤0.2；以及

Al电极，所述Al电极被形成在所述Al_xGa_(1-x)N层上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述p型杂质没有被包含在所述Al_xGa_(1-x)N层中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述Al电极与所述Al_xGa_(1-x)N层欧姆接触。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述GaN层是沟道层，

其中，所述Al_xGa_(1-x)N层是电子供应层，

其中，所述Al电极是源电极和漏电极中的至少一个，并且

其中，所述半导体器件进一步包括：

栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜与所述Al_xGa_(1-x)N层接触，并且由氧化铝制成；和

栅电极，所述栅电极与所述栅极绝缘膜接触。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述Al电极包含Si、Ca以及Cu中的至少一种。

6.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在Al_xGa_(1-x)N层上直接地形成Al电极，在所述Al_xGa_(1-x)N层中，p型杂质的浓度和n型杂质的浓度都是1×10¹⁶cm^-3或者更低，其中0<x≤0.2；并且

在470℃或者更高，将所述Al电极退火。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中，在将所述Al电极退火的步骤中的退火温度被设定为600℃或者更低。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中，在将所述Al电极退火的步骤中，将所述Al电极退火10分钟或者更长。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中，所述Al_xGa_(1-x)N层被形成在形成沟道层的GaN层上，

其中，所述Al_xGa_(1-x)N层是电子供应层，

其中，所述Al电极是源电极和漏电极中的至少一个，并且

其中，所述方法进一步包括：

形成栅极绝缘膜和栅电极，所述栅极绝缘膜与所述Al_xGa_(1-x)N层接触并且由氧化铝制成，所述栅电极与所述栅极绝缘膜接触。