[发明专利]数模混合电路的接地方法及电路板有效

专利信息
申请号: 201410331965.9 申请日: 2014-07-11
公开(公告)号: CN104122923A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 陈烽;周伟坚 申请(专利权)人: 邯郸美的制冷设备有限公司;美的集团武汉制冷设备有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 056000 河*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 数模 混合 电路 接地 方法 电路板
【权利要求书】:

1.一种数模电路的接地方法,基于电路板设置,其特征在于,包括:

设置控制芯片;

设置与所述控制芯片的数字I/O口相连的数字电路,设置与所述控制芯片的模拟I/O口相连的模拟电路;

设置第一连接路径,将所述数字I/O口的接地端和所述数字电路的接地端共接;设置第二连接路径,将所述模拟I/O口的接地端和所述模拟电路的接地端共接;

将所述第一连接路径和所述第二连接路径在所述控制芯片所覆盖的位置以一连接导体相接,且将所述连接导体或所述第一连接路径与电源地连接。

2.根据权利要求1所述的数模电路的接地方法,其特征在于,所述第一连接路径和第二连接路径为固定于所述电路板上的导体片、铺设于所述电路板上的连接线、铺设于所述电路板上的大面积覆铜中的一种或两种组合。

3.根据权利要求2所述的数模电路的接地方法,其特征在于,所述第一连接路径为大面积覆铜或导体片时,所述第一连接路径在与所述电路板表面垂直的方向上的投影将所述模拟I/O口的接地端和所述模拟电路的接地端的焊盘覆盖。

4.根据权利要求2所述的数模电路的接地方法,其特征在于,所述第一连接路径为大面积覆铜或导体片时,所述第一连接路径与所述电路板表面垂直的方向上的投影将所述数字I/O口和所述数字电路覆盖。

5.根据权利要求2所述的数模电路的接地方法,其特征在于,所述第二连接路径为大面积覆铜或导体片时,所述第二连接路径在与所述电路板表面垂直的方向上的投影,将所述数字I/O口的接地端和所述数字电路的接地端的焊盘覆盖。

6.根据权利要求2所述的数模电路的接地方法,其特征在于,所述第二连接路径为大面积覆铜或导体片时,所述第二连接路径与所述电路板表面垂直的方向上的投影将所述模拟I/O口和所述模拟电路覆盖。

7.根据权利要求2至6任一项所述的数模电路的接地方法,其特征在于,当所述电路板为单面板时,作为所述第一连接路径、第二连接路径的大面积覆铜铺设于所述电路板设有所述控制芯片的同一表面;

当所述电路板为双面板时,作为所述第一连接路径、第二连接路径的大面积覆铜铺设于所述电路板中设有所述控制芯片的上表面,或铜铺设于与所述上表面相对的下表面。

8.根据权利要求2至6任一项所述的数模电路的接地方法,其特征在于,将所述连接导体铺设于所述电路板,且使其穿过所述控制芯片于所述电路板上的正投影的几何中心。

9.根据权利要求8所述的数模电路的接地方法,其特征在于,所述连接导体的走线宽度在0.5~1.5mm范围内。

10.根据权利要求1或2所述的数模电路的接地方法,其特征在于,所述第一连接路径和第二连接路径的间距为0.3mm以上。

11.一种电路板,设置有控制芯片、与所述控制芯片的数字I/O口相连的数字电路、与所述控制芯片的模拟I/O口相连的模拟电路,其特征在于,所述电路板还设置有:

第一连接路径,将所述数字I/O口的接地端和所述数字电路的接地端共接,

第二连接路径,将所述模拟I/O口的接地端和所述模拟电路的接地端共接;

连接导体,在所述控制芯片所覆盖的位置将所述第一连接路径和所述第二连接路径相接,且将所述连接导体或所述第一连接路径与电源地连接。

12.根据权利要求11所述的电路板,其特征在于,所述第一连接路径和第二连接路径为固定于所述电路板上的导体片、铺设于所述电路板上的连接线、铺设于所述电路板上的大面积覆铜中的一种或两种组合。

13.根据权利要求12所述的电路板,其特征在于,所述第一连接路径为大面积覆铜或导体片时,所述第一连接路径在与所述电路板表面垂直的方向上的投影将所述模拟I/O口的接地端和所述模拟电路的接地端的焊盘覆盖。

14.根据权利要求12所述的电路板,其特征在于,所述第一连接路径为大面积覆铜或导体片时,所述第一连接路径与所述电路板表面垂直的方向上的投影将所述数字I/O口和所述数字电路覆盖。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于邯郸美的制冷设备有限公司;美的集团武汉制冷设备有限公司,未经邯郸美的制冷设备有限公司;美的集团武汉制冷设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410331965.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top