[发明专利]一种低电阻ITO透明导电膜有效
| 申请号： | 201410331465.5 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104064257B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 于甄;胡坤 | 申请（专利权）人： | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 215634 江苏省苏州市张家港环保新材料*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 ito 透明 导电 | ||
1.一种低电阻ITO透明导电膜，其特征在于，所述ITO透明导电膜依次包括：柔性基材、第一过渡层、高折射率层、第二过渡层、金属层、及ITO透明导电层，所述高折射率层的折射率范围在2.0至2.4之间，所述第一过渡层为过渡金属层或过渡金属氧化物层，用于增加高折射率层与柔性基材的结合力，所述第二过渡层为过渡金属层或过渡金属氧化物层，用于增加高折射率层与金属层之间的结合力；所述高折射率层的厚度与所述ITO透明导电层的厚度均为半个光学厚度。
2.根据权利要求1所述的低电阻ITO透明导电膜，其特征在于，所述第一过渡层的厚度为1～5nm，第一过渡层的材料为Ti或Ta或Cr或Ru金属层或者AZO金属氧化物层。
3.根据权利要求1所述的低电阻ITO透明导电膜，其特征在于，所述第二过渡层的厚度为1～5nm，第二过渡层的材料为Ti或Ta或Cr或Ru金属层或者AZO金属氧化物层。
4.根据权利要求1所述的低电阻ITO透明导电膜，其特征在于，所述金属层的厚度为1～10nm，金属层的材料为Ag或Au。
5.根据权利要求1所述的低电阻ITO透明导电膜，其特征在于，所述高折射率层的厚度为半个光学厚度，高折射率层为NbOx或Si3N4或TiO2或LaTiO3介质层。
6.根据权利要求1所述的低电阻ITO透明导电膜，其特征在于，所述柔性基材另一侧还包括保护层，所述保护层为光学双面胶。
7.根据权利要求6所述的低电阻ITO透明导电膜，其特征在于，所述保护层的厚度为10～100μm。
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