[发明专利]基极调制的电流源

权利要求书

1.一种基极调制的电流源，包括：

输出端子，被配置为供应输出电流；

第一晶体管，包括：

第一电极，耦合至所述输出端子，

第二电极，

基极电极，和

栅极电极，被配置为接收偏压；以及

放大器，包括：

输入端子，电耦合至第一晶体管的第一电极，和

输出端子，电耦合至第一晶体管的基极电极。

2.如权利要求1所述的基极调制的电流源，其中，所述放大器具有负增益。

3.如权利要求2所述的基极调制的电流源，其中，所述放大器的负增益在-0.5到-2的范围内。

4.如权利要求1所述的基极调制的电流源，其中，所述放大器还包括：

第二晶体管，包括：

栅极电极，电耦合至第一晶体管的第一电极，和

漏极电极，电耦合至所述放大器的输出端子；以及

第三晶体管，包括：

源极电极，电耦合至电源，

栅极电极，和

漏极电极，其中，第三晶体管的漏极电极电耦合至第三晶体管的栅极电极和第二晶体管的漏极电极。

5.如权利要求1所述的基极调制的电流源，其中，第一晶体管是NMOS晶体管，并且第二电极耦合至低压电源或者地。

6.如权利要求1所述的基极调制的电流源，其中，第一晶体管是PMOS晶体管，并且第二电极耦合至高压电源。

7.一种基极调制的电流源，包括：

第一晶体管，包括：

第一电极，和

基极电极；以及

放大器，包括：

输入端子，电耦合至第一晶体管的第一电极，和

输出端子，电耦合至第一晶体管的基极电极。

8.如权利要求7所述的基极调制的电流源，还包括输出端子，其被配置为供应输出电流并且耦合至第一电极。

9.如权利要求7所述的基极调制的电流源，其中，第一晶体管还包括被配置为接收偏压的栅极电极。

10.如权利要求7所述的基极调制的电流源，其中，所述放大器具有负增益。

11.如权利要求10所述的基极调制的电流源，其中，所述放大器的负增益在-0.5到-2的范围内。

12.如权利要求7所述的基极调制的电流源，其中，所述放大器还包括：

第二晶体管，包括：

栅极电极，电耦合至第一晶体管的第一电极，和

漏极电极，电耦合至所述放大器的输出端子；以及

第三晶体管，包括：

源极电极，电耦合至电源，

栅极电极，和

漏极电极，其中，第三晶体管的漏极电极电耦合至第三晶体管的栅极电极和第二晶体管的漏极电极。

13.如权利要求7所述的基极调制的电流源，其中，第一晶体管是NMOS晶体管，并且第一晶体管的第二电极耦合至低压电源或者地。

14.如权利要求7所述的基极调制的电流源，其中，第一晶体管是PMOS晶体管，并且第一晶体管的第二电极耦合至高压电源。

15.一种使用基极调制的电流源生成输出电流的方法，该方法包括：

通过将偏压施加在所述基极调制的电流源的第一晶体管的栅极电极来生成所述基极调制的电流源的输出端子处的输出电流，其中，第一晶体管的第一电极电耦合至所述基极调制的电流源的输出端子；

将对应于所述输出电流的第一输出电压供应给放大器的输入端子；以及

利用由所述放大器生成的第二输出电压来驱动第一晶体管的基极电极。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述放大器具有负增益。

17.如权利要求16所述的方法，其中，所述放大器的负增益在-0.5到-2的范围内。