[发明专利]一种磁控溅射法制备Bi2Se3薄膜的方法有效
| 申请号： | 201410329154.5 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104152856B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 羊新胜;魏占涛;张敏;赵勇;闫勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 法制 bi sub se 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁控溅射法制备Bi2Se3薄膜的方法，其步骤是：
a、清洗基片：将硅基片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行10-20分钟的超声清洗；
b、溅射准备：将硅基片用热氮气干燥后放在磁控溅射设备的衬底上，在磁控溅射设备的溅射靶上安装纯度为99.99％的Bi2Se3靶材，调整溅射靶到硅基片的距离为5-7厘米；
c、溅射Bi2Se3薄膜：将溅射室抽真空至气压小于2×10-4Pa，再通入纯度为99.995％的氩气，使溅射室气压为0.4-0.6Pa，调整衬底温度为360℃，进行溅射功率为4-6W/cm2、时间为60-600秒的溅射沉积；
d、后退火处理：将c步所得的沉积有Bi2Se3薄膜的硅基片和0.1-0.5g的硒粒一起封入气压小于1×10-2Pa的真空石英管中，置于管式炉中进行氩气保护气氛下的后退火处理，后退火处理时的参数为：以2℃/min升至250℃-300℃，再保温2-3小时；然后炉冷，即得。
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