[发明专利]一种SiC多孔陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：

a、按质量比例称量陶瓷粉料，包括作为基体的SiC微粉，作为粘结剂的酚醛树脂，作为助烧剂的Al₂O₃，以及作为造孔剂的PMMA微粉；

b、先将SiC微粉与Al₂O₃和酚醛树脂在球磨机中球磨8～12h，再将球磨后的混合粉料在烘箱中烘干；

c、将步骤b混合粉料与PMMA微粉加入混料机，混合10～30min；

d、将步骤c混合后的粉料用干压成型机压制成毛坯，毛坯在空气中放置1天，自然干燥，再在80℃烘箱中预处理5小时，然后再升温到110℃处理10小时得到干燥的坯体；

e、将步骤d的干燥后的坯体放入高温炉内，以3～8℃/min的速度升温到1300～1600℃，保温1～3h；

f、随炉自然冷却至常温，取出坯体，即得SiC多孔陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的步骤a中陶瓷粉料，包括质量百分比为2.5%~8.8%的Al₂O₃，质量百分比为55%~80%的SiC微粉，质量百分比为10%~35%的PMMA微粉，质量百分比为1.2%~7.5%的酚醛树脂。

3.根据权利要求1所述的一种SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的步骤d中干压成型压力为50～180MPa。

4.根据权利要求1所述的一种SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的步骤e中烧结气氛为空气，压力为常压。

5.根据权利要求1所述的一种SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的SiC微粉为墨绿色纳米SiC微粉，粒径为50~600nm。

6.根据权利要求1所述的一种SiC多孔陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的PMMA微粉，粒径为20~100μm。