[发明专利]一种大功率微片激光器装置有效
| 申请号: | 201410328578.X | 申请日: | 2014-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN104051939B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
| 发明(设计)人: | 张志刚;刘关玉;朱海波;周亮;云志强 | 申请(专利权)人: | 广东量泽激光技术有限公司 |
| 主分类号: | H01S3/067 | 分类号: | H01S3/067;H01S3/091;H01S3/10 |
| 代理公司: | 中山市科创专利代理有限公司44211 | 代理人: | 谢自安 |
| 地址: | 528400 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 大功率 激光器 装置 | ||
1.一种大功率微片激光器装置,其特征在于包括有顺次连接的第一泵浦光源(1)、光学耦合系统(2)、被动调Q微芯片(3)、用于聚焦输出的凸透镜(4)、反射镜(5)、第一准直器(6)、以及合束器(7),所述合束器(7)设有准直输入端、泵浦光输入端、以及合束输出端,合束器(7)准直输入端与第一准直器(6)输出端连接,合束器(7)泵浦光输入端连接有第二泵浦光源(8),合束器(7)合束输出端顺次连接有用于激光预放大的小芯径双包层增益光纤(9)、泵浦泄露装置(10)、光纤隔离器(11)、光纤模场适配器(12)、用于激光主放大的大芯径多模双包层光纤放大器(13)、以及用于输出的第二准直器(14)。
2.根据权利要求1所述的一种大功率微片激光器装置,其特征在于所述被动调Q微芯片(3)由Nd:YAG激光晶体和Cr:YAG可饱和吸收调Q晶体通过键合而成,其中,Nd:YAG激光晶体靠近光学耦合系统(2)侧。
3.根据权利要求2所述的一种大功率微片激光器装置,其特征在于所述光学耦合系统(2)包括顺次连接在第一泵浦光源(1)与被动调Q微芯片(3)之间的FC/APC泵浦输出头(21)、用于平行输出的第一凸透镜(22)、高反高透保护镜(23)、以及用于将激光聚焦输出到被动调Q微芯片(3)上的第二凸透镜(24)。
4.根据权利要求3所述的一种大功率微片激光器装置,其特征在于所述第一泵浦光源(1)波长为808nm,所述第一凸透镜(22)焦距为30nm,所述高反高透保护镜(23)为波长808nm高反、波长1064nm高透的保护镜,所述第二凸透镜(24)焦距为25nm,所述反射镜(5)为1064nm/45度的反射镜,所述第二泵浦光源(8)波长为976nm,所述大芯径多模双包层光纤放大器(13)内采用掺镱增益光纤进行放大。
5.根据权利要求4所述的一种大功率微片激光器装置,其特征在于所述掺镱增益光纤芯径为30微米,采用两个25W的915nm多模泵浦进行泵浦。
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