[发明专利]一种适合于大功率LED照明驱动电路应用的多芯片QFN封装无效
| 申请号： | 201410327779.8 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104064560A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 程玉华 | 申请（专利权）人： | 苏州卓能微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适合于 大功率 led 照明 驱动 电路 应用 芯片 qfn 封装 | ||
【权利要求书】：
1.一种多芯片QFN封装结构，其特征在于包括，
至少一颗PWM控制器的芯片，用于实现封装器件的控制LED照明功能；
QFN封装管壳；
基岛，所述芯片设置在所述基岛上；
围绕所述基岛布置的多个焊盘；
所述封装结构的封装空间内填充的绝缘材质；
其特征在于，至少一个所述焊盘与所述基岛连通，其余焊盘通过金线与所述芯片连接。
2.如权利要求1所述的多芯片QFN封装结构，其特征在于，与基岛所在的一面相对的所述封装结构的另一面设置有导热金属结构。
3.如权利要求2所述的QFN封装结构，其特征在于，所述导热金属结构材质为不锈钢。
4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导热金属结构的厚度范围为：150um-350um。
5.如权利要求2所述的QFN封装结构，其特征在于，所述导热金属结构与所述绝缘材质之间通过银浆粘结。
6.如权利要求1所述的QFN封装结构，其特征在于，所述芯片的背面与所述基岛通过银浆粘结。
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