[发明专利]OLED像素结构在审

专利信息
申请号: 201410326557.4 申请日: 2014-07-09
公开(公告)号: CN104037205A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 刘亚伟;王宜凡 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: oled 像素 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及有机电致发光显示器件制作领域,尤其涉及一种OLED像素结构。

背景技术

平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)。

有机电致发光器件由于同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。从使用的有机电致发光材料的分子量来看,有机电致发光器件分为小分子有机电致发光器件(OLED)和高分子电致发光器件(PLED),由于分子量的不同,有机电致发光器件的制程也有很大的区别,OLED主要通过热蒸镀方式制备,PLED通过旋涂或者喷墨打印方式制备。

OLED通常包括:基板、置于基板上的ITO透明阳极、置于ITO透明阳极上的空穴注入层(HIL)、置于空穴注入层上的空穴传输层(HTL)、置于空穴传输层上的发光层(EML)、置于发光层上的电子传输层(ETL)、置于电子传输层上的电子注入层(EIL)以及置于电子注入层上的阴极。为了提高效率,发光层通常采用主/客体掺杂系统。

半导体纳米晶(semiconductor nanocrystals,缩写NCs),是指尺寸为1-100nm的半导体纳米晶粒。由于半导体纳米晶的尺寸小于其体材料的激子波尔半径,表现出强的量子限域效应,准连续的能带演变为类似于分子的分立能级结构,呈现出新的材料性质,因此也称为量子点(quantum dots,缩写QDs)。由于外部能量的激发(光致发光,电致发光,阴极射线发光等),电子从基态跃迁到激发态。处于激发态的电子和空穴可能会形成激子。电子与空穴发生复合,最终弛豫到基态。多余的能量通过复合和弛豫过程释放,可能辐射复合发出光子。

量子点发光二极管(Quantum Dots Light Emitting Diodes,QD-LEDs)具有重要的商业应用的价值,在最近十年引起人们强烈的研究兴趣。事实上,QD-LEDs相对于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes,OLEDs)有很多的优势:(1)量子点发光的线宽在20-30nm之间,相对于有机发光>50nm的发光,FWHM要窄,这对于现实画面的色纯度起关键的作用。(2)无机材料相对于有机材料表现出更好的热稳定性。当器件处于高亮度或高电流密度下,焦耳热是使器件退化的主要原因。由于优异的热稳定性,基于无机材料的器件将表现出长的使用寿命。(3)由于红绿蓝三基色有机材料的寿命不同,OLEDs显示器的颜色将随时间变化。然而,用同一种材料合成不同尺寸的量子点,由于量子限域效应,可以实现三基色的发光。同一种材料可以表现出相似的退化寿命。(4)QD-LEDs可以实现红外光的发射,而有机材料的发光波长一般小于1微米。(5)对于量子点没有自旋统计的限制,其外量子效率(external quantum efficiency,EQE)有可能达到100%。QD-LED的EQE可以表示为:ηExt=ηrINT*η*ηOUT。其中ηr是电子和空穴形成激子的几率,ηINT是内量子效率,即发光量子产率(PL QY),η是辐射跃迁的几率,ηOUT是外耦合的效率。有机荧光染料ηr的限制是25%,其中单重态与三重态的形成比例是1:3,只有单重态激子的复合导致发光。然而,由于自旋轨道耦合,有机磷光材料的ηr大于25%。值得一提的是有机磷光材料导致了母体材料的退化。平面发光器件的ηOUT大约在20%左右,可以通过微腔结构提高外耦合效率。对于QD-LEDs,其ηINT可以达到100%,同时当电子和空穴能级适合时,其ηr也可以达到100%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410326557.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top