[发明专利]OLED像素结构在审
申请号: | 201410326557.4 | 申请日: | 2014-07-09 |
公开(公告)号: | CN104037205A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 刘亚伟;王宜凡 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | oled 像素 结构 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示器件制作领域,尤其涉及一种OLED像素结构。
背景技术
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)。
有机电致发光器件由于同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。从使用的有机电致发光材料的分子量来看,有机电致发光器件分为小分子有机电致发光器件(OLED)和高分子电致发光器件(PLED),由于分子量的不同,有机电致发光器件的制程也有很大的区别,OLED主要通过热蒸镀方式制备,PLED通过旋涂或者喷墨打印方式制备。
OLED通常包括:基板、置于基板上的ITO透明阳极、置于ITO透明阳极上的空穴注入层(HIL)、置于空穴注入层上的空穴传输层(HTL)、置于空穴传输层上的发光层(EML)、置于发光层上的电子传输层(ETL)、置于电子传输层上的电子注入层(EIL)以及置于电子注入层上的阴极。为了提高效率,发光层通常采用主/客体掺杂系统。
半导体纳米晶(semiconductor nanocrystals,缩写NCs),是指尺寸为1-100nm的半导体纳米晶粒。由于半导体纳米晶的尺寸小于其体材料的激子波尔半径,表现出强的量子限域效应,准连续的能带演变为类似于分子的分立能级结构,呈现出新的材料性质,因此也称为量子点(quantum dots,缩写QDs)。由于外部能量的激发(光致发光,电致发光,阴极射线发光等),电子从基态跃迁到激发态。处于激发态的电子和空穴可能会形成激子。电子与空穴发生复合,最终弛豫到基态。多余的能量通过复合和弛豫过程释放,可能辐射复合发出光子。
量子点发光二极管(Quantum Dots Light Emitting Diodes,QD-LEDs)具有重要的商业应用的价值,在最近十年引起人们强烈的研究兴趣。事实上,QD-LEDs相对于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes,OLEDs)有很多的优势:(1)量子点发光的线宽在20-30nm之间,相对于有机发光>50nm的发光,FWHM要窄,这对于现实画面的色纯度起关键的作用。(2)无机材料相对于有机材料表现出更好的热稳定性。当器件处于高亮度或高电流密度下,焦耳热是使器件退化的主要原因。由于优异的热稳定性,基于无机材料的器件将表现出长的使用寿命。(3)由于红绿蓝三基色有机材料的寿命不同,OLEDs显示器的颜色将随时间变化。然而,用同一种材料合成不同尺寸的量子点,由于量子限域效应,可以实现三基色的发光。同一种材料可以表现出相似的退化寿命。(4)QD-LEDs可以实现红外光的发射,而有机材料的发光波长一般小于1微米。(5)对于量子点没有自旋统计的限制,其外量子效率(external quantum efficiency,EQE)有可能达到100%。QD-LED的EQE可以表示为:ηExt=ηr*ηINT*η*ηOUT。其中ηr是电子和空穴形成激子的几率,ηINT是内量子效率,即发光量子产率(PL QY),η是辐射跃迁的几率,ηOUT是外耦合的效率。有机荧光染料ηr的限制是25%,其中单重态与三重态的形成比例是1:3,只有单重态激子的复合导致发光。然而,由于自旋轨道耦合,有机磷光材料的ηr大于25%。值得一提的是有机磷光材料导致了母体材料的退化。平面发光器件的ηOUT大约在20%左右,可以通过微腔结构提高外耦合效率。对于QD-LEDs,其ηINT可以达到100%,同时当电子和空穴能级适合时,其ηr也可以达到100%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410326557.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种信息处理的方法及电子设备
- 下一篇:一种信息处理方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的