[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410325525.2 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105244318B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 赵杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域和所述第二区域均包括虚拟栅极；
在所述半导体衬底上形成层间介电层；
执行平坦化工艺以露出所述虚拟栅极；
去除所述第一区域中的所述虚拟栅极和所述第二区域中的所述虚拟栅极，以在所述第一区域中形成第一沟槽，在所述第二区域中形成第二沟槽；
在所述半导体衬底上依次沉积形成高K介电层、覆盖层、阻挡层、P型功函数金属层和牺牲层；
去除所述第二区域中位于所述层间介电层上的所述牺牲层，以露出所述P型功函数金属层；
在所述半导体衬底上形成间隙壁保护层；
去除所述第二区域中的所述间隙壁保护层，以露出所述牺牲层和所述P型功函数金属层；
去除所述第二区域中位于所述第二沟槽中的所述牺牲层；
去除所述第二区域中的所述P型功函数金属层；
去除所述第一区域中的所述牺牲层和所述间隙壁保护层，以露出所述P型功函数金属层；
在所述半导体衬底上依次沉积形成N型功函数金属层和金属电极层；
执行平坦化工艺，以露出所述层间介电层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隙壁保护层的材料为SiN、SiON、SiOCN、SiOBN、氧化物或者多晶硅，采用CVD、ALD或者PVD形成所述间隙壁保护层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域为PMOS区域，所述第二区域为NMOS区域。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隙壁保护层的厚度范围为10埃至30埃，所述间隙壁保护层具有对所述牺牲层和所述P型功函数金属层的高刻蚀选择比。
5.如权利要求1的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为DUO、非晶硅或者非晶碳。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，位于所述层间介电层上的所述牺牲层的厚度大于所述第二沟槽的深度。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学机械研磨或者回刻蚀执行所述平坦化步骤。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除所述第二区域中位于所述层间介电层上的所述牺牲层。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀去除所述第二区域中位于所述第二沟槽中的所述牺牲层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
