[发明专利]栅极的形成方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201410325219.9 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105448688A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 形成 方法 半导体器件 | ||
1.一种栅极的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成隔断层，该隔断层位于栅极线条需要切断的部位，该隔断层的材料为介质材料；
形成栅极材料层，该栅极材料层覆盖所述隔断层和半导体衬底；
对所述栅极材料层进行平坦化，至暴露出所述隔断层的顶部；
对所述栅极材料层进行图形化，以形成所述栅极线条，该栅极线条包括被所述隔断层隔断的多个栅极。
2.根据权利要求1所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述隔断层的材料为SiN、SiO2、低k材料中的一种或任意组合。
3.根据权利要求1所述的栅极的形成方法，其特征在于，在形成所述隔断层之前，还包括：在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层，该隔断层和栅极线条位于所述牺牲氧化层上。
4.根据权利要求3所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述隔断层的形成方法包括：
形成介质材料层，该介质材料层覆盖所述牺牲氧化层；
对所述介质材料层进行图形化，形成所述隔断层。
5.根据权利要求1所述的栅极的形成方法，其特征在于，采用化学机械抛光对所述栅极材料层进行平坦化。
6.根据权利要求1所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述栅极材料层的材料为多晶硅。
7.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
隔断层，位于所述半导体衬底上，该隔断层的材料为介质材料；
栅极线条，位于所述半导体衬底上，所述栅极线条包括被所述隔断层隔断的多个栅极。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述隔断层的材料为SiN、SiO2、低k材料中的一种或任意组合。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有牺牲氧化层，该隔断层和栅极线条位于所述牺牲氧化层上。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极的材料为多晶硅。
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