[发明专利]恒流二极管的制造方法和恒流二极管在审
| 申请号： | 201410324088.2 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105448711A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黄宇萍;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 制造 方法 | ||
1.一种恒流二极管的制造方法，其特征在于，包括：
在形成有沟槽的衬底表面生长栅氧化层，并在所述栅氧化层的表面淀积多晶硅层；
对所述多晶硅层进行回刻，并在经过回刻处理之后的衬底表面生长第一介质层；
对所述第一介质层进行光刻、刻蚀，以得到接触孔；
向形成有所述接触孔的衬底表面注入掺杂离子并做退火处理，以形成阱区；
在形成有所述阱区的衬底表面生长金属层，以得到所述恒流二极管。
2.根据权利要求1所述的恒流二极管的制造方法，其特征在于，还包括：
在形成有外延层的衬底表面生长第二介质层，以得到衬底结构，所述第二介质层位于所述外延层的上方；
对所述第二介质层进行光刻、刻蚀，以形成掩膜；
以所述第二介质层为掩膜对所述衬底结构进行刻蚀，以得到所述沟槽。
3.根据权利要求2所述的恒流二极管的制造方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层均为致密的绝缘层。
4.根据权利要求1所述的恒流二极管的制造方法，其特征在于，所述衬底为N型衬底，所述阱区为N型阱区。
5.根据权利要求4所述的恒流二极管的制造方法，其特征在于，向所述衬底表面注入的掺杂离子为磷离子或砷离子。
6.根据权利要求1所述的恒流二极管的制造方法，其特征在于，所述衬底为P型衬底，所述阱区为P型阱区。
7.根据权利要求6所述的恒流二极管的制造方法，其特征在于，向所述衬底表面注入的掺杂离子为硼离子。
8.根据权利要求2所述的恒流二极管的制造方法，其特征在于，所述刻蚀为干法刻蚀。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的恒流二极管的制造方法，其特征在于，所述金属层为复合金属层。
10.一种恒流二极管，其特征在于，所述恒流二极管采用如权利要求1至9中任一项所述的恒流二极管的制造方法制造而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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