[发明专利]自发光互补金属氧化物半导体影像传感器封装

权利要求书

1.一种在微电子芯片中承载互补金属氧化物半导体影像传感器，其改良包括：

发光二极管发射器与该芯片整合。

2.根据权利要求1所述的微电子芯片，其是形成于砷化镓基板上。

3.根据权利要求2所述的微电子芯片，其包括发光二极管部分区域，是形成于砷化铝镓的上。

4.根据权利要求2所述的微电子芯片，其包括互补金属氧化物半导体传感器部分区域，是形成于砷化铟镓的上。

5.根据权利要求2所述的微电子芯片，其包括形成在砷化铝镓的上的发光二极管部分区域以及形成在砷化铟镓的上的互补金属氧化物半导体传感器部分区域。

6.根据权利要求1所述的微电子芯片，其包括该微电子芯片的协助运作电路，是形成于未处理的砷化镓的上。

7.根据权利要求1所述的微电子芯片，其包括发光二极管透镜间隔，是用以提供该发光二极管发射器所投射的光线光学路径。

8.根据权利要求1所述的微电子芯片，其包括互补金属氧化物半导体传感器透镜间隔，是用以提供光学路径使光线传递至该互补金属氧化物半导体传感器。

9.根据权利要求1所述的微电子芯片，其包括：

发光二极管透镜间隔，是用以提供该发光二极管发射器所投射的光线第一光学路径；

互补金属氧化物半导体传感器透镜间隔，是用以提供第二光学路径使光线传递至该互补金属氧化物半导体传感器；以及

光分路器，是实质上将该第一光学路径与该第二光学路径隔离。

10.根据权利要求1所述的微电子芯片，其包括该发光二极管发射器与该互补金属氧化物半导体影像传感器共享的至少一个共享电性连接。

11.根据权利要求10所述的微电子芯片，其中该共享电性连接是包括电源线。

12.根据权利要求10所述的微电子芯片，其中该共享电性连接是包括接地线。

13.根据权利要求10所述的微电子芯片，其中该至少一个共享电性连接包括电源线和接地线。

14.根据权利要求13所述的微电子芯片，其中该互补金属氧化物半导体影像传感器是在前面照射方向。

15.根据权利要求13所述的微电子芯片，其中该互补金属氧化物半导体影像传感器是在背面照射方向。

16.根据权利要求1所述的微电子芯片，其是可安装在内视镜的上操作，以提供影像的用。

17.根据权利要求1所述的微电子芯片，其是安装在相机的上，以提供影像的用。