[发明专利]包括穿通孔的半导体装置有效
| 申请号: | 201410323159.7 | 申请日: | 2014-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN104576577B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
| 发明(设计)人: | 朴日光;李锺天;金洪谦 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;G01R31/02 |
| 代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;许伟群 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 穿通孔 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
半导体芯片;
穿通孔,其通过穿通所述半导体芯片来形成;
第一金属层,其在所述穿通孔的端部处与所述穿通孔的一部分耦接;
第二金属层,其在所述穿通孔的该端部处与所述穿通孔的另一部分耦接,
其中,所述第一金属层和所述第二金属层不直接彼此耦接。
2.如权利要求1所述的半导体装置,还包括:
凸块,其层叠在所述第一金属层和所述第二金属层之上,其中,所述凸块与所述第一金属层和所述第二金属层共同耦接。
3.如权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一金属层与所述半导体芯片的第一内部电路耦接。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其中,所述第二金属层与所述半导体芯片的第二内部电路耦接。
5.一种半导体装置,包括:
穿通孔;
第一金属层,其在所述穿通孔的端部处与所述穿通孔的一部分耦接;
第二金属层,其在所述穿通孔的该端部处与所述穿通孔的另一部分耦接;
第一内部电路,其与所述第一金属层耦接,且被配置成将信号传送至所述穿通孔或接收经由所述穿通孔传输的信号;以及
第二内部电路,其与所述第二金属层耦接,且被配置成储存经由所述穿通孔传输的信号以及将储存的信号输出至所述穿通孔,
其中,所述第一金属层和所述第二金属层不直接彼此耦接。
6.如权利要求5所述的半导体装置,其中,所述第一内部电路将数据传送至所述穿通孔或接收从所述穿通孔输出的数据。
7.如权利要求6所述的半导体装置,其中,所述第一内部电路还包括:
数据焊盘,被配置成输入和/或输出数据;
输入锁存单元,被配置成布置经由所述数据焊盘接收的数据,并且将布置的数据输出;
输出锁存单元,被配置成布置经由所述穿通孔输出的信号,并且将布置的信号作为数据输出至所述数据焊盘;以及
穿通孔驱动器,被配置成驱动从所述输入锁存单元输出的数据,并将所得的数据输出至所述穿通孔,以及驱动从所述穿通孔输出的信号并将所得的信号输出至所述输出锁存单元。
8.如权利要求6所述的半导体装置,其中,所述第二内部电路还包括:
穿通孔单元,被配置成储存经由所述穿通孔传送的信号,其中,响应于写入使能信号而储存所述信号以及响应于读取使能信号而将储存的信号输出至所述穿通孔。
9.如权利要求8所述的半导体装置,其中,所述穿通孔单元还包括:
锁存单元,被配置成锁存经由所述穿通孔传送的信号;
通过门,被配置成响应于所述写入使能信号而将所述穿通孔与所述锁存单元电连接;
驱动器,被配置成响应于所述读取使能信号而将储存在所述锁存单元中的信号输出至所述穿通孔。
10.如权利要求8所述的半导体装置,还包括:
命令焊盘,被配置成接收写入命令信号和读取命令信号;以及
内部命令发生单元,被配置成基于所述写入命令信号和所述读取命令信号来产生内部写入信号和内部读取信号。
11.如权利要求10所述的半导体装置,还包括:
第一可变延迟单元,被配置成通过将所述内部写入信号可变地延迟来产生所述写入使能信号;以及
第二可变延迟单元,被配置成通过将所述内部读取信号可变地延迟来产生所述读取使能信号。
12.如权利要求10所述的半导体装置,还包括:
选通焊盘,被配置成接收选通信号;以及
缓冲单元,被配置成响应于所述内部写入信号而缓冲所述选通信号。
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