[发明专利]一种探测温度的系统和方法及设有该系统的MOCVD设备

权利要求书

1.一种设有温度探测系统的MOCVD设备，包括一反应腔，所述反应腔内设置一基片载置台，所述基片载置台上承载若干基片，其特征在于：所述MOCVD设备还包括一温度探测系统，所述温度探测系统包括一激光发生装置和一光电探测装置，所述光电探测装置连接一计算控制单元，所述激光发生装置用于发射一定强度的入射激光至所述反应腔内并在所述基片或基片载置台表面发生发射；所述激光发生装置包括开和关两种状态，当所述激光发生装置设置为关状态时，所述光电探测装置用于探测基片热辐射功率，当所述激光发生装置设置为开状态时，所述光电探测装置用于探测反射激光强度和基片热辐射功率之和，所述计算控制单元用于根据反射激光强度和入射激光强度计算所述基片和所述基片载置台的发射率，并结合探测到的热辐射功率计算得出基片及基片载置台的温度。

2.根据权利要求1所述的MOCVD设备，其特征在于，所述反应腔包括一反应腔顶部，所述反应腔顶部设置一观测口，所述温度探测系统设置于所述观测口上方。

3.根据权利要求2所述的MOCVD设备，其特征在于，所述温度探测系统包括一准直器，所述准直器位于所述激光发生装置与所述观测口之间。

4.根据权利要求2所述的MOCVD设备，其特征在于，所述反应腔顶部为一圆盘形，所述观测口为沿所述圆盘形反应腔顶部的半径方向延伸的长条状。

5.根据权利要求4所述的MOCVD设备，其特征在于，所述MOCVD设备包括至少两个温度探测系统，所述温度探测系统设置于所述观测口上方并沿所述观测口方向排布。

6.根据权利要求2所述的MOCVD设备，其特征在于，所述反应腔顶部设置两个或两个以上所述观测口，每个所述观测口上方设置一温度探测系统，所述每个观测口到所述反应腔顶部中心位置的距离不同。

7.根据权利要求1-6中任一项权利要求所述的MOCVD设备，其特征在于，所述激光发生装置为激光发生器或光纤耦合激光发生器。

8.根据权利要求7所述的MOCVD设备，其特征在于：所述激光发生装置输出端连接一高频调制输出装置。

9.一种探测基片及基片载置台温度的系统，其特征在于：包括一激光发生装置，一准直器及一光电探测装置，所述光电探测装置连接一计算控制单元，所述激光发生装置用于发射一定强度的入射激光经所述准直器至一反应腔内并在所述基片或基片载置台表面发生发射；所述激光发生装置包括开和关两种状态，当所述激光发生装置设置为关状态时，所述光电探测装置用于探测基片热辐射功率，当所述激光发生装置设置为开状态时，所述光电探测装置用于探测反射激光强度和基片热辐射功率之和，所述计算控制单元用于根据反射激光强度和入射激光强度计算所述基片和所述基片载置台的发射率，并结合探测到的热辐射功率计算得出基片及基片载置台的温度。

10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于：所述激光发生装置为激光发生器或光纤耦合激光发生器。

11.根据权利要求9所述的系统，其特征在于：所述激光发生装置输出端连接一高频调制输出装置。