[发明专利]研磨方法及研磨装置在审
申请号: | 201410323137.0 | 申请日: | 2014-07-08 |
公开(公告)号: | CN104282533A | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 金马利文;八木圭太 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;B24B37/005;B24B37/04 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 梅高强;刘煜 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 方法 装置 | ||
1.一种研磨方法,其特征在于,
对基板的周缘部是否有异常部位进行检查,
在未检测出所述异常部位的场合,对所述基板进行研磨,
在检测出所述异常部位的场合,不对所述基板进行研磨。
2.如权利要求1所述的研磨方法,其特征在于,在所述基板的研磨后,再次对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查。
3.如权利要求2所述的研磨方法,其特征在于,当在研磨后的所述基板的周缘部检测出异常部位的场合,不开始后续的基板的研磨。
4.如权利要求2所述的研磨方法,其特征在于,当在研磨后的所述基板的周缘部检测出异常部位的场合,变更后续的基板的研磨的研磨条件。
5.如权利要求1所述的研磨方法,其特征在于,对所述基板的周缘部是否有异常部位的检查,是取得基板的周缘部的图像,并基于该图像而对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查的工序。
6.如权利要求5所述的研磨方法,其特征在于,基于所述图像而对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查的工序,是通过对指标值与规定阈值进行比较,而对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查的工序,所述指标值表示出现在所述图像上的所述异常部位的特征。
7.如权利要求6所述的研磨方法,其特征在于,所述指标值表示所述异常部位的大小、长度、形状和颜色浓淡中的某一个。
8.如权利要求1所述的研磨方法,其特征在于,当由多个基板构成的每一组中,存在异常部位的基板的枚数达到设定值时,不开始后续的基板的研磨。
9.如权利要求1所述的研磨方法,其特征在于,所述基板是通过将器件基板与硅基板贴合在一起而制成的SOI基板。
10.如权利要求9所述的研磨方法,其特征在于,所述异常部位是附着在所述SOI基板的露出面上的异物或所述SOI基板的硅层剥离的部位。
11.一种研磨方法,其特征在于,
对基板进行研磨,
暂时中断所述基板的研磨,对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查,
在未检测出所述异常部位的场合,再次开始所述基板的研磨,
在检测出所述异常部位的场合,结束所述基板的研磨。
12.如权利要求11所述的研磨方法,其特征在于,在所述基板的研磨后,再次对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查。
13.如权利要求12所述的研磨方法,其特征在于,当在研磨后的所述基板的周缘部检测出异常部位的场合,不开始后续的基板的研磨。
14.如权利要求12所述的研磨方法,其特征在于,当在研磨后的所述基板的周缘部检测出异常部位的场合,变更后续的基板的研磨的研磨条件。
15.如权利要求11所述的研磨方法,其特征在于,对所述基板的周缘部是否有异常部位的检查,是取得基板周缘部的图像,并基于该图像而对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查的工序。
16.如权利要求15所述的研磨方法,其特征在于,基于所述图像而对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查的工序,是通过对指标值与规定阈值进行比较,而对所述基板的周缘部是否有异常部位进行检查的工序,所述指标值表示出现在所述图像上的所述异常部位的特征。
17.如权利要求16所述的研磨方法,其特征在于,所述指标值表示所述异常部位的大小、长度、形状和颜色浓淡中的某一个。
18.如权利要求11所述的研磨方法,其特征在于,当由多个基板构成的每一组中,存在异常部位的基板枚数达到设定值时,不开始后续的基板的研磨。
19.如权利要求11所述的研磨方法,其特征在于,所述基板是通过将器件基板与硅基板贴合在一起而制成的SOI基板。
20.如权利要求19所述的研磨方法,其特征在于,所述异常部位是附着在所述SOI基板的露出面上的异物或所述SOI基板的硅层剥离的部位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社荏原制作所,未经株式会社荏原制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410323137.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种锂盐掺合纳米碳酸钙的二氧化碳吸附剂前驱体及其应用
- 下一篇:一种混料机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造