[发明专利]改善多孔低k薄膜的机械强度的方法有效
| 申请号： | 201410323121.X | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105448646B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电介质薄膜 薄膜 分阶段 波长 沉积 施加 半导体基片 去除 制作 | ||
1.一种制作多孔低k薄膜的方法，包括：
在半导体基片上沉积电介质薄膜；
对经沉积的电介质薄膜进行分阶段UV固化，其中，所述分阶段UV固化至少包括：
a)施加第一波长范围的UV固化以去除所述电介质薄膜中的有机成分；
b)施加第二波长范围的UV固化以强化所述电介质薄膜的机械强度，其中，所述第一波长范围大于所述第二波长范围；
以及
c)施加第三波长范围的UV固化作为步骤a)和步骤b)之间的过渡处理，所述第三波长范围在第一波长范围和第二波长范围之间，其中
所述第一波长范围是250-400nm，所述第二波长范围是100-200nm，所述第三波长范围是200-300nm。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一波长范围是300-400nm。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二波长范围的UV固化增强所述电介质薄膜中的Si-O键交联。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，使用滤光器从混合波长UV光获得分阶段UV固化的各阶段所需UV光。
5.一种制作多孔低k薄膜的方法，包括：
在半导体基片上沉积电介质薄膜；
对经沉积的电介质薄膜进行分阶段UV固化，其中，所述分阶段UV固化至少包括：
施加300-400nm波长的UV固化；
施加200-300nm波长的UV固化；以及
施加100-200nm波长的UV固化。
6.一种制作多孔低k薄膜的方法，包括：
在半导体基片上沉积电介质薄膜；
对经沉积的电介质薄膜进行分阶段固化处理，其中，所述固化处理包括：
a)施加第一能量范围的固化处理以去除所述电介质薄膜中的有机成分；
b)施加第二能量范围的固化处理以强化所述电介质薄膜中的机械强度，其中，所述第一能量范围小于所述第二能量范围；
以及
c)施加第三能量范围的固化处理作为步骤a)和步骤b)之间的过渡处理，所述第三能量范围在第一能量范围和第二能量范围之间，其中所述第一能量范围是3-5ev，所述第二能量范围是7-9ev。
7.一种半导体结构，其特征在于，包括根据权利要求1-6中任一项所述方法制作的多孔低k薄膜。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括根据权利要求1-6中任一项所述方法制作的多孔低k薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
