[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410322525.7 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105244311B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张先明;何作鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；
在所述硅通孔中依次形成绝缘层、粘连层和铜导电层；
对所述铜导电层实施预处理，以释放所述铜导电层内部的应力并使晶粒充分长大；
执行化学机械研磨直至露出所述硅通孔的顶部，
所述预处理包括依次实施的两步退火处理，第一步退火处理为仅对所述铜导电层自身实施的激光热退火，以使所述铜导电层的晶粒充分长大，避免在后续实施第二步退火处理时所述铜导电层发生凸起现象。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第二步退火处理为优化的炉内退火，以充分释放所述铜导电层内部的应力，避免发生层离现象。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述激光热退火的激光束能量大于0.5J/cm2，紫外波长为200nm-350nm，所述铜导电层内部的温度大于500℃，处理时间小于1微秒。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述炉内退火的升降温速率小于3℃/min，在300℃下持续1小时。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述硅通孔的步骤包括：在所述半导体衬底上形成光刻胶层；通过曝光、显影在所述光刻胶层中形成所述硅通孔的顶部开口的图案；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，蚀刻所述半导体衬底以在其中形成所述硅通孔；通过灰化去除所述光刻胶层。
6.一种采用权利要求1-5之一所述的方法制造的半导体器件。
7.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求6所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
